1. 4H-SiC的晶体结构中,碳原子占据六方密堆积和立方面心两种晶格位置。2. “六方”指的是六方密堆积晶格,这是一种空间群为P63mc的晶体结构。3. “立方”指的是立方面心晶格,这是一种空间群为Fm-3m的晶体结构。4. 在这两种结构中,碳原子以不同的方式排列,形成不同的晶格点阵。5. 六方...
晶格参数为0.3081 1.0093 3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移 摘要:我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合(LCAO)法以及BZW程序,研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性质与实验结果很好地吻合。对3C-SiC的初始总能量计算,找到了一...
高剂量的磷离子注入4H-SiC(0001)晶面,注入速率从1.0×1012到4.0×1012 P+ cm-2s-1变化,而注入剂量固定为2.0×1015 P+ cm-2。室温注入,1500oC的高温下退火。利用光荧光和拉曼谱分析注入产生的晶格损伤以及退火后的残余缺陷。通过霍耳测试来分析注入层的电学性质。基于上述测试结果,发现通过减小磷离子的注入速率,...
外延层的生长可以消除许多缺陷,使晶格排列整齐,表面形貌较衬底大为改观。这样的外延片用于制造功率器件,可以极大提高器件的参数稳定性和良率。比如用于制作碳化硅功率器件时,会在导电型4H-SiC衬底上同质生长一层4H-SiC单晶外延,成为碳化硅外延片,厚的外延层、好的表面形貌、较低的掺杂浓度有利于提高器件的击穿电压。