4H-SiC晶体的带隙约为3.26eV,比传统的硅材料的带隙要大得多。这使得4H-SiC晶体具有较高的击穿电场强度和较低的载流子浓度,适合用于高功率和高频率的电子器件。 除了晶格结构和带隙,4H-SiC晶体还具有其他一些特殊的性能。例如,由于SiC材料的热导率较高,4H-SiC晶体在高温环境下具有良好的热稳定性,可以承受较高...
在这项工作中，由于 4H-SiC 的六边形平面内各向同性晶格，间隙为 3.5 µm 的器件成功实现模式匹配并运行，导致原生频率分裂仅为几 ppm 并落在静电调谐范围内。频率响应测量 在真空室中，在室温下对两个 4 英寸绝缘体上 SiC 晶片上的大量 4H-SiC 圆盘谐振器进行了表征，统计数据如图 4a-d 所示。测得的频...
SiC单晶差不多有200种同分异构体，其中最常见的有3C, 4H, 6H结构，每种结构都有自己适合的应用领域...
1. 4H-SiC的晶体结构中，碳原子占据六方密堆积和立方面心两种晶格位置。2. “六方”指的是六方密堆积晶格，这是一种空间群为P63mc的晶体结构。3. “立方”指的是立方面心晶格，这是一种空间群为Fm-3m的晶体结构。4. 在这两种结构中，碳原子以不同的方式排列，形成不同的晶格点阵。5. 六方...
4H-SiC晶体基片是碳化硅(SiC)的一种晶体类型,碳化硅有大约250种晶体类型,包括3C、4H和6H等,但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型,数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。 产品简述 产品视频 留言咨询 产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数:a=3.08Å c=...
以3C-SiC为例，这种立方硅碳化物展现了简单的立方结构，成为SiC晶型中结构最为直观的一种。而另一方面，具有六方结构的SiC则因原子排布的差异，衍生出2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC等多种类型。这些分类不仅揭示了晶体内部原子堆积的规律，还反映了晶格的对称性和结构的复杂性。禁带宽度是半导体材料的关键参数，它决定了...
二、4H-SiC结构性质分析 采用第一性原理计算方法,我们研究了高压下4H-SiC的结构性质。计算结果显示,随着压力的增大,4H-SiC的晶格常数逐渐减小,说明高压下4H-SiC的晶格结构发生了一定的变化。此外,高压下4H-SiC的键长和键能也有所改变,这些结构性质的变化对其电子和光学性质产生了一定的影响。 三、4H-SiC电子性质分...
1. 晶体结构差异：3C-SiC拥有立方晶格结构，4H-SiC呈现出四方晶格特征，而6H-SiC则具有六方晶格结构。2. 应用领域区分：3C-SiC适合用作磨料、半导体材料以及高温半导体材料。4H-SiC适用于高温环境、高频应用和大功率电子器件制造。6H-SiC则在高功率、高温以及高频电子器件领域表现出优势。
SIC晶体是由硅原子和碳原子构成的复合晶体,硅原子和碳原子以不同的方式排列形成不同的结构类型,其中4H相是硅原子和碳原子交替排列形成六方晶格的一种结构。 在LAMMPS中构建SIC晶体结构的步骤如下: 1.定义晶体结构:首先需要定义晶格参数和晶体的结构类型,对于4H相的SIC晶体,可以定义其晶格参数和原子的排列方式。 2...
晶体结构:6H-SiC和4H-SiC都具有六方晶体结构。6H-SiC具有稍低的电子迁移率和更窄的带隙,而4H-SiC具有更高的电子迁移率和更宽的带隙,为3.2 eV,适用于高频,高功率应用。 导电性:有n型和半绝缘两种选择,可灵活满足各种设备需求。 导热性:这些衬底的导热性范围为3.2至4.9 W/cm·K,这对于高温环境中的散热至...