4H-SiC晶体的带隙约为3.26eV,比传统的硅材料的带隙要大得多。这使得4H-SiC晶体具有较高的击穿电场强度和较低的载流子浓度,适合用于高功率和高频率的电子器件。 除了晶格结构和带隙,4H-SiC晶体还具有其他一些特殊的性能。例如,由于SiC材料的热导率较高,4H-SiC晶体在高温环境下具有良好的热稳定性,可以承受较高...
1. 4H-SiC的晶体结构中，碳原子占据六方密堆积和立方面心两种晶格位置。2. “六方”指的是六方密堆积晶格，这是一种空间群为P63mc的晶体结构。3. “立方”指的是立方面心晶格，这是一种空间群为Fm-3m的晶体结构。4. 在这两种结构中，碳原子以不同的方式排列，形成不同的晶格点阵。5. 六方...
在这项工作中，由于 4H-SiC 的六边形平面内各向同性晶格，间隙为 3.5 µm 的器件成功实现模式匹配并运行，导致原生频率分裂仅为几 ppm 并落在静电调谐范围内。频率响应测量 在真空室中，在室温下对两个 4 英寸绝缘体上 SiC 晶片上的大量 4H-SiC 圆盘谐振器进行了表征，统计数据如图 4a-d 所示。测得的频...
4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构:六方晶系 晶格常数:a=3.08Å c=10.05Å 熔点2827℃ 硬度(Mohs):≈9.2 方向:生长轴或偏(0001) 3.5° 密度(g/cm3)3.16 带隙:2.93eV (间接) 导电类型:N导电 电阻率:0.1-0.01 ohm-cm 介电常数:e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 ...
1. 晶体结构差异：3C-SiC拥有立方晶格结构，4H-SiC呈现出四方晶格特征，而6H-SiC则具有六方晶格结构。2. 应用领域区分：3C-SiC适合用作磨料、半导体材料以及高温半导体材料。4H-SiC适用于高温环境、高频应用和大功率电子器件制造。6H-SiC则在高功率、高温以及高频电子器件领域表现出优势。
SIC晶体可以具有不同的晶向,包括4H、6H和3C等。在这些晶向中,4H晶向是最为常见和广泛研究的。4H-SIC晶体具有六方晶格结构,其中硅和碳原子以ABCABC排列。与其他晶向相比,4H-SIC具有更高的载流子迁移率。 迁移率是描述材料中载流子运动性能的重要参数。它反映了载流子在电场作用下在材料中的移动能力。高迁移率意味着...
SIC晶体是由硅原子和碳原子构成的复合晶体,硅原子和碳原子以不同的方式排列形成不同的结构类型,其中4H相是硅原子和碳原子交替排列形成六方晶格的一种结构。 在LAMMPS中构建SIC晶体结构的步骤如下: 1.定义晶体结构:首先需要定义晶格参数和晶体的结构类型,对于4H相的SIC晶体,可以定义其晶格参数和原子的排列方式。 2...
要点1.作者使用了商用氮(N)掺杂的4H-SiC,其由于缺少Si原子而具有带负电的硅单空位(VSi),这在结构内部留下了四个悬空键。由于不饱和空位,这些位点具有很高的电子亲和力,因此它们吸引电子并变成负的。它是一种自旋活性点缺陷,已被用作固态量子信息应用中的量子比特。4H-SiC晶格中氮的掺杂不仅产生负电荷,而且产生高...
英飞凌工程师解答：SiC单晶差不多有200种同分异构体，其中最常见的有3C, 4H, 6H结构，每种结构都有...