半绝缘sic单晶衬底生长电阻率 2014年11月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSNovember,2014 檨檨檨檨檨檨檨殎 简报 高纯半绝缘 4H-SiC 单晶的生长 昆,陈秀芳,杨祥龙,彭燕,胡小波,徐现刚杨 (山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100) 摘要:使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的...
1. 高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展 2. 高质量半绝缘Φ150mm 4H-SiC单晶生长研究 3. LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性 4. 4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究 5. 钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究 6. 4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型 7. N型4H-SiC同质外延生长 8. 半绝缘6H-SiC...
用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究 SiC原料的纯度,粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉... 高攀,刘熙,陈建军,... - 全国晶体生长与材料学术会议 被引量: 2发表: 2012年 ...
高纯半绝缘4H-SiC物理气相传输法电阻率采用物理气相传输(PVT)法,通过改变石墨坩埚顶部结构,实现了低氮和硼碳化硅单晶生长的目标.对抛光后的4H-SiC晶片进行二次离子质谱(SIMS)测试,B和N的浓度相应降低1个和2个数量级.采用非接触电阻率测试仪测试晶圆的电阻率均大于4×109Ω·cm;红外透射谱测试结果表明,波数2500~420...
基于SiC单晶衬底制备的GaN/SiC HEMT微波器件主要应用于军事领域,为了克服与衬底材料有关的寄生电容引起的信号损失,必须采用绝缘或者半绝缘衬底,因此半绝缘SiC单晶衬底是大功率摘 要:采用物理气相传输(PVT)法,通过改变石墨坩埚顶部结构,实现了低氮和硼碳化硅单晶生长的目标。对抛光后的4H-SiC晶片进行二次离子质谱(SIMS)...
高纯半绝缘 4H-SiC单晶 单晶生长 高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长 碳化硅 物理气相传输法 半绝缘 高质量半绝缘Φ150mm 4H-SiC单晶生长研究 Φ150 mm 4H-SiC 数值模拟 PVT法 LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性 低压化学气相沉积 高纯半绝缘4H-SiC 电子自旋共振 本征缺陷内容...
阐述了高纯半绝缘4H-SiC单晶的研究历史,展望了未来高纯半绝缘4H-SiC衬底制备方法及SiC市场的发展方向,分别讨论了籽晶、 生长压强和温度场分布3种因素对于SiC单晶生长的影响,并提出了改进方法. 著录项 来源 《科技创新与生产力》 |2019年第5期|69-72|共4页 作者 范云; 作者单位 中国电子科技集团第二研...
摘要 采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶.研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征.实验结果表明:4°籽...
斜切偏角度蓝宝石衬底晶片晶圆,2英寸4英寸二维材料生长专用基板 ￥180.00 查看详情 R面蓝宝石衬底晶圆晶片 特殊晶向定制蓝宝石晶体 ￥150.00 查看详情 8英寸蓝宝石衬底晶片 大尺寸晶体切割 晶圆抛光 氧化铝单晶 ￥3000.00 查看详情 4英寸碳化硅衬底晶圆晶片 N型4H-SiC晶体宽禁带半导体材料 ￥2200.00 查看详情 2英寸碳化...
斜切偏角度蓝宝石衬底晶片晶圆,2英寸4英寸二维材料生长专用基板 ￥180.00 查看详情 R面蓝宝石衬底晶圆晶片 特殊晶向定制蓝宝石晶体 ￥150.00 查看详情 8英寸蓝宝石衬底晶片 大尺寸晶体切割 晶圆抛光 氧化铝单晶 ￥3000.00 查看详情 4英寸碳化硅衬底晶圆晶片 N型4H-SiC晶体宽禁带半导体材料 ￥2200.00 查看详情 2英寸单晶...