天科合达从 2020 年开始开展 8 英寸导电型SiC单晶衬底的开发工作,经过 2 年多艰苦卓绝的技术攻关,突破了 8 英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题,成功制备出高品质 8 英寸导电型SiC单晶衬底,并计划在 2023 年实现小规模量产。 1实验 1.1 晶体生长和衬底制备 本实验通过以自主研发的由 c 轴偏向<112-0>...
天科合达从 2020 年开始开展 8 英寸导电型SiC单晶衬底的开发工作,经过 2 年多艰苦卓绝的技术攻关,突破了 8 英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题,成功制备出高品质 8 英寸导电型SiC单晶衬底,并计划在 2023 年实现小规模量产。 1实验 1.1 晶体生长和衬底制备 本实验通过以自主研发的由 c 轴偏向<112-0>...
8 英寸导电型4H-SiC 单晶的生长杨祥龙陈秀芳谢雪健彭燕于国建胡小波王垚浩徐现刚Journal of Synthetic Crystals
从 2018 年开始对 8 英寸籽晶和导电型 4HSiC 单晶生长和衬底加工进行了研究,经过多年的理论和技术攻关,实现了高质量 8 英寸导电型 4H-SiC 单晶和衬底的制备。 科研团队采用 6 英寸(0001) 表面偏向<11-20>方向 4的 4H-SiC 碳面晶片作为籽晶,基于物理气相传输法( PVT)进行扩径生长,晶体生长过程中温度控制...
经过五年的潜心研究与深入钻研,合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关。自2023年起,公司聚焦市场需求,专项攻克8英寸导电型4H-SiC衬底技术,经过近两年的理论深化与技术迭代,现已实现高质量产品的稳定量产。
通过技术攻关，实现低应力8英寸SiC单晶扩径生长，生长出直径209.25 mm的高质量4H-SiC晶体。晶体表面光亮平滑，无裂纹。按照标准流程制成200.03 mm的8英寸衬底，表面无多晶、划痕、崩边等缺陷。拉曼光谱结果显示，8英寸衬底为单一4H晶型。X-射线衍射结果显示，结晶质量良好。微管密度为0.04个/cm2。电阻...
经过五年的潜心研究与深入钻研,合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关。自2023年起,公司聚焦市场需求,专项攻克8英寸导电型4H-SiC衬底技术,经过近两年的理论深化与技术迭代,现已实现高质量产品的稳定量产。
合盛硅业近日宣布了一项振奋人心的技术突破——其下属宁波合盛新材料有限公司成功实现了8英寸导电型4H-SiC衬底项目的全线贯通，这一成就标志着公司在第三代半导体材料领域迈出了坚实的一步，跃升至行业前沿。历经五年的潜心研发与技术攻坚，合盛新材料不仅掌握了从原料纯化到单晶生长、再到衬底加工的全流程核心技术，...
核心提示:山东大学晶体材料国家重点实验室从 2002 年开始启动碳化硅单晶的生长和衬底加工工作,攻克了多项关键技术。从 2018 年开始对 8 英寸籽晶和导电型 4HSiC 单晶生长和衬底加工进行了研究,经过多年的理论和技术攻关,实现了高质量 8 英寸导电型 4H-SiC 单晶和衬底的制备。
经过五年的潜心研究与深入钻研,合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关。自2023年起,公司聚焦市场需求,专项攻克8英寸导电型4H-SiC衬底技术,经过近两年的理论深化与技术迭代,现已实现高质量产品的稳定量产。