图1:计算3C-SiC出的电子能量的能带结构呈高对称性方向,与基础上取得的最佳设置从BZW程序。 3结果 3.1 3C - SiC的电子结构和总能量 对3C — SiC的电子能带与最佳基组计算的都显示在图1,能带的能量为零设置在价带顶.对价带顶3C—SiC的在Γ点是导带底是在X点。我们的计算是相对3C—SiC的,图1被占领价带非常...
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕见,主要通过人工合成。其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域最常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。
在4H-SiC 外延生长工艺中，衬底上的基面位错能够转化成外延层中的刃型位错。这种转化降低了外延层中基面位错的密度，也就减小了外延层中缺陷对SiC 器件的损害。通过对基面位错的模拟，可以计算位错的密度和分布，态密度，能带结构，基面位错的转化等[2]。将结构缺陷模拟应用于PIN 二极管的优化，在实验无法勘察位错...
所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
应用基于第一性原理平面波超软赝势方法,对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明:B、Al、Ga元素掺杂后,体系都发生了晶格畸变,能带都呈现出间接带隙特征,禁带宽度减小,费米能级穿越了价带,体现出p型半导体的特征;掺杂原子与C原子形成共价键的...
P间隙式掺杂4H-SiC的能带结构如图2(d)所示。相较于本征4H-SiC,它们的导带与价带结构相似,但其带隙略减小,禁带中引入杂质能级,费米能级靠近导带且穿过一条杂质能级。该杂质能级上的杂质部分电离,产生电子。P作为间隙式杂质使4H-SiC产生了两条位于费米能级下的杂质能级,在n型4H-SiC中,费米能级接近导带,电子基本...
由4h-sic的能带结构可以看出,4h-sic在uvc波段具有较高的吸收系数,透射深度小于1微米左右,随着紫外光波长的减小,其吸收系数会快速增大,透射深度快速减小。 4h-sic紫外探测器在采用pn/pin结构时,为保证良好的欧姆接触特性及pn结二极管特性,上层欧姆接触层4h-sic材料的厚度通常在0.2微米以上,且上层欧姆接触层为均匀掺杂...
4H-SiC材料可以在高温和高电压环境下稳定工作,具有优越的热导率和能带宽度,适用于功率器件制造。制备4H-SiC材料的关键技术包括物理气相沉积、化学气相沉积和激光去域等方法,通过表面抛光和薄膜沉积等工艺可以减少杂质和缺陷,提高材料的质量。 二、4H-SiC功率UMOSFETs的结构与工作原理: 4H-SiC功率UMOSFETs由栅极、漏极...
基于此,中科院北京纳米能源与系统研究所王中林、朱来攀和北京科技大学侯新梅、杨涛等制备了一种氮掺杂的4H-SiC纳米孔阵列(NHA),并研究了其中的诱导极化对PE-PEC水分解的促进作用。 理论计算表明,N掺杂可以有效地调节4H-SiC的能带结构,并且随着N掺杂量的增加,费米能级进入导带的深度增加。此外,当N的掺杂量达到一定...
4H-SiC材料与其它材料的异质结可以扩展其应用领域,例如SiC/Si异质结可以用于功率器件的制备。异质结的形成会引入界面缺陷,影响晶体的结构和电学特性。 3.2 异质结对4H-SiC性能的影响 异质结的引入会改变4H-SiC材料的输运特性、能带结构和电子结构。例如,SiC/Si异质结中的晶格失配会导致位错的生成和电子结构的改变,从...