3C-SiC的带隙较低,但其载流子迁移率、热导率和机械性能优于4H-SiC。绝缘氧化物栅极与3C-SiC之间的界面处的缺陷密度较低,器件基于该晶片可以具有较小的FN隧穿电流和氧化物层制备的可靠性,有利于制造高电压和长寿命的器件,可显著提高器件的产率。
例如,上图展示了 4H 型 SiC 的堆积顺序,下表还对各种多型体的堆积顺序进行了总结归纳。SiC 具备间接跃迁型能带结构,并且不同的多型体有着不一样的禁带宽度。以 4H 型 SiC 为例,它的禁带宽度为 3.26eV,大约是 Si 禁带宽度(1.1eV)的 3 倍。顺便提一下,可见光的能量范围处于 1.7eV 至 3.3eV 之间,高...
a )3C-SiC 和6H-SiC的原子结构;b) 3C-SiC 2 英寸晶圆的图片,尺子的单位是厘米;c)3C-SiC 晶体的拉曼光谱;d )3C-SiC 的X射线衍射(XRD);e区域轴拍摄的3C-SiC的高分辨率STEM图像。插图:STEM图像的快速傅立叶变换(FFT);f区域轴上拍摄的3C-SiC的选定区域电子衍射图案。 碳化硅(SiC)是一种广泛用于电子应用...
结果表明：本征3C-SiC没有磁性，单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响，但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在A1和Si空位共掺杂3C-SiC的结构中，Si空位近邻的C原子的自旋向上与自旋向下的态密度图明显不对称，主要是由与Si空位近邻的C-2p轨道的自旋极化引起的。关键词：稀磁半导体；电子结构；磁性；第一性原理...
基于3C-,4H-,6H-SiC的电子结构及磁学,光学性质的第一性原理研究 半导体材料逐渐成为高新产业中的重要组成部分,其中新兴发光材料和磁性半导体材料受到广泛关注.SiC作为第三代半导体材料,具有多构型,宽禁带,耐高温,耐高压等优良性质,... 张贺翔 - 《宁夏大学》 被引量: 0发表: 2023年 ...
摘要: 采用MonteCarlo方法模拟了3C SiC材料中电子的静态输运特性.在细致分析材料的能带结构和主要散射机构,建立了适于统计模拟的物理模型的基础上,采用自洽的SPMC方法进行模拟,得出了电子迁移率随温度,电子平均漂移速度随电场的变化规律,及电子的能量和动量弛豫时间随温度和电场的变化规律.所得结果与实验符合较好....
计算方法研究了3C2SiC的能带结构和光学性质,并 将理论计算的结果和实验测量的数据进行了比较. 0引言 SiC具有许多优良的性质,如带隙宽、抗电压击 穿能力强、热导率高、饱和电子迁移率大等,适合制 备高功率、高频率、耐高温以及抗辐照的电子器件, 因此,对于SiC的研究一直为人们所重视 ...
Lecture 02 AlGaN-GaN性质与生长
Xiao Hong is Project Manager at a large software services company. In a bid to maximize her team's productivity, Xiao Hong decides to follow the goal-setting theory. In line with the principles of the...