《3C-SiC纳米复合结构的构建及其电子态和发光特性研究》是依托南京大学，由吴兴龙担任项目负责人的面上项目。 项目摘要 碳化硅是一种间接宽带隙半导体材料，发光效率较低，对它发光特性的研究一直较少。多孔硅室温可见光的发现引起了人们对间接带隙半导体材料发光特性研究的兴趣，为了获得可调谐的紫蓝光发射，人们把目光...