光谱引导：立方晶型SiC具有较低的损耗和高的光束质量，可用于制造光谱引导器件。光谱引导器件可以在光学通信、光学传感和光学成像等应用中对光信号进行传输和控制。常用的立方碳化硅粉（3C-SiC）纳米粉，亚微米，微米粉，规格如下：40-50nm，100-300nm，300-500nm，1-3um，5um，7um，10um，20um，40um，99%。...
其中,3C-SiC(立方相碳化硅)相对于其他SiC晶型(如4H-SiC和6H-SiC)具有一些优点[1],如与硅技术集成性好、较低的晶格失配、较高的载流子迁移率、成本相对较低,在以下领域有独特的用途,如低功耗、低频率的功率器件,如低压功率开关、低功耗传感器等;具有集成电路需求的应用,包括模拟集成电路、RF集成电路等;对成本要求...
用于电磁波吸收材料,雷达隐身材料,电磁屏蔽材料等领域,其应用范围广泛,包括军事,航空航天。 5. 用立方SiC微粉、晶须和纳米新材料制作的各类装甲、防弹板、防弹衣等具有优良的高硬度、高抗压和弹性模量和卓越的抵抗高速射弹的弹道能力,在装甲、坦克的轴承、发动机燃烧器,战斗机、轰炸机、航母、潜艇等的高性能雷达天线...
近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)在厦门国际会议中心召开。期间,“超宽禁带半导体技术”分会上,大阪公立大学副教授梁剑波做了“增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能,以适应实际器件应用”的主题报告,分享了最新研究成果。涉及晶体生长法在金刚石上生长GaN、金刚石...
此外,3C-SiC薄膜能在同属立方晶系的Si衬底上生长。 除了在半导体上应用,β碳化硅因更多“基因的特性”可应用于更多的应用场合,例如:β-SiC属立方晶系,其晶体的等轴结构特点决定了该类粉体具有比属六方和四方晶系的α-SiC更好的自然球度,因而在精密研磨方面有更好的磨削和抛光效果,在材料、密封制品和军工制品...
天岳先进申请一种高均一性3C-SiC外延片专利，提高3C‑SiC外延片的应用价值 金融界2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种高均一性3C-SiC外延片“，公开号CN117766558A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请公开了一种高均一性3C‑SiC外延片，属于...
10. 利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性 11. 温度对CVD制备Ti-Si-C涂层中Ti3SiC2形成规律的影响 12. 3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究 13. PZT薄膜在MEMS器件中的研究进展 14. 3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光 15. 应用于固体推进剂的石墨烯及其复合材料制备技术研究进展 推荐文献...
中科汇珠总经理、首席技术官杨军伟博士受邀出席本次大会并做”液相法3C-SiC衬底同质外延的应用与研究”的演讲报告,旨在阐明液相法技术的先进性及对应市场需求的紧迫性。 演讲围绕液相法3C-SiC衬底同质外延展开了相关材料应用和性能研究的介绍。报告提到,液相法碳化硅单晶生长技术是一项革新的技术。其与传统PVT法相比,具有...
United Silicon Carbide UF3C高性能SiC fet是cascode产品,将高性能G3 SiC jfet与经过cascode优化的Si MOSFET共封装,以生产当今市场上唯一的标准栅驱动SiC器件。该系列展示了超低的栅极电荷,非常适合于开关感应负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。它们有650V和1200V版本,有TO-247-3L、TO-247-4L和D(2)PAK-3L封...