3C-SiC(cubic silicon carbide)是一种碳化硅的晶体结构,也被称为β-SiC。它具有立方晶体结构,属于空间群F43m。每个晶胞包含两个原子:一个硅原子和一个碳原子。 在3C-SiC中,硅和碳原子以四面体结构排列,其中每个碳原子与周围四个硅原子形成共价键,形成了六元环的结构。这种结构类似于钻石结构,并且在三个维度上都...
晶体结构不同、应用领域不同。1、晶体结构不同：3C-SiC是立方晶体结构，4H-SiC是四方晶体结构，6H-SiC是六方晶体结构。2、应用领域不同：3C-SiC可以应用于磨料、半导体材料、高温半导体材料等领域；4H-SiC可以应用于高温、高频、大功率电子器件等领域；6H-SiC可以应用于高温、高功率以及高频器件等领域。
3C碳化硅是一种宽带隙半导体材料。3C碳化硅（3C-SiC）是一种晶体结构类似于钻石的碳化硅材料，具有宽带隙特性。在电子应用领域被广泛使用，具有较高的电子迁移率、击穿电场强度和热导率。3C碳化硅在电力电子领域面临热管理挑战，但AirWaterInc.生产的晶圆级3C-SiC块状晶体采用低温化学气相沉积法生长，具有高质...
1. 3C碳化硅是一种宽带隙半导体材料，其晶体结构类似于钻石，具有高电子迁移率、击穿电场强度和热导率。2. 在电子应用领域，3C碳化硅（3C-SiC）因其优异的物理特性而被广泛使用。3. 尽管3C碳化硅在电力电子领域面临热管理挑战，但AirWaterInc.生产的晶圆级3C-SiC块状晶体，通过采用低温化学气相沉积法生长...
3C-SiC-金刚石界面的热边界传导代表着相对于当前技术水平的重大进步。与 Si 和 SiC 衬底上制造的GaN HEMT 相比,在金刚石衬底上制造的 GaN HEMT 具有最大漏极电流和最低表面温度。此外,与其他类似结构相比,金刚石衬底上的 GaN HEMT 与 SiC 相比热阻降低率最为显着。这些结果表明,金刚石技术上的 GaN/3C-SiC ...
3C-SiC基因结构研究与应用进展 内容摘要 SiC以其耐高压、耐高温、半导电等特性在高温、高压、高频、大功率半导体器件等领域越来越受到各界青睐。SiC的高热导率和高吸波特性在近年来更是引起了半导体和热管理材料等领域的高度重视。但是H型和R型SiC是由260多种多型体(polytipe)结构组成的结晶变体。由SiC本质结构特征...
日前,自然通讯(Nature Communications)期刊发表了伊利诺伊大学香槟分校材料科学与工程学院科研人员发布的重要发现——立方碳化硅(3C-SiC)块状晶体的导热系数仅次于金刚石单晶,这与之前文献中的结论大相径庭。 a )3C-SiC 和6H-SiC的原子结构;b) 3C-SiC 2 英寸晶圆的图片,尺子的单位是厘米;c)3C-SiC 晶体的拉曼光谱;...
碳化硅(Silicon carbide),化学式为SiC,分子量40.1。化学式虽然简单,但是其应用广泛,这是由碳化硅的结构决定的。 结构={组元,组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质,组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体,就是由碳原子和硅原子有序排列而成。碳、硅同属于第二周期元素,原子半径差距不大,堆积方式可以从等径球体...
(Gruneisen)参数 . 2 结果与讨论 2.1 3C.SiC 的基本性质参数 3C—SiC 又称为 一SiC,其晶格具有 闪锌矿结构 (立方相),每个原胞 内有一个 si 原子和一个 c 原子, 空间群为f-43mt~O1.为了确定 3C.SiC 体结构性质,我 们计算 了晶体体积 与系统 总能之间 的关系 ,并用 Birch—Mumaghan equation of ...