SiC 具备间接跃迁型能带结构,并且不同的多型体有着不一样的禁带宽度。以 4H 型 SiC 为例,它的禁带宽度为 3.26eV,大约是 Si 禁带宽度(1.1eV)的 3 倍。顺便提一下,可见光的能量范围处于 1.7eV 至 3.3eV 之间,高纯度的 4H 型 SiC 晶体对于可见光是透明的。那为什么用于器件制造的 SiC 晶体会呈现出黄色...