物理气相传输(PVT)法制备4H-SiC单晶热应力及位错滑移建模 卢圣瓯1, 韩学峰1 1浙江大学杭州国际科创中心 发布日期2024 采用有限元方法建立了4H-SiC单晶生长过程热弹性应力和位错滑移的数值模型,考虑了晶体直径、生长温度和离轴生长的影响。利用COMSOL Multiphysics软件的固体传热和热辐射物理场,计算了晶体生长炉内二维...
SiC C-face up, roughness Rq<0.2nm (5um*5um)after CMP , 我们为客户提供晶圆(硅晶圆,玻璃晶圆,SOI晶圆,GaAs,蓝宝石,碳化硅(导电,非绝缘),Ga2O3,金刚石,GaN(外延片/衬底)),镀膜方式(PVD,cvd,Ald,PLD)和材料(Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5,Ta2O5,ZrO2,TiN,ALN,ZnO,HfO2。。更多...
1.建立4H-SiC埋沟MOSFET的击穿特性模型；2.模拟不同工艺参数对击穿特性的影响；3.优化器件设计和制造工艺，提高器件的击穿性能。研究方法与技术路线 •研究方法：本研究将采用理论建模与数值模拟相结合的方法，通过对4H-SiC埋沟MOSFET的微观结构和击穿机理进行分析，建立击穿特性模型。研究方法与技术路线 01 技术路线...
这些结果表明,在没有外延层的半绝缘衬底上制作的4H-SiC LDIMOSFET是功率集成电路的一个有前途的候选器件。
1. 4H-SiC PIN二极管的各向异性迁移率效应 2. 高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展 3. 4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应 4. 4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型 5. 基于局部层析的TTI各向异性参数初始建模方法研究 6. 4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究 7. 高压4H—SiC肖特基二极管的模拟及研制 ...
在这些计算中,颜色中心/发射器被视为一个辐射的点偶极子,建模为一个在发射频率ν = c/λ驱动的振荡点电流源[24, 25]。在计算域的外边界处应用散射/PML边界条件。SiC、SiO2和Si的介电常数值基于以下报告的值[26, 27]。 局部环境的影响可以完全通过经典的局部光学态密度(LDOS)模型来表达[24]。已知在经典和...
此处提出一种对碳化硅(SiC)混合PiN/Schottky(MPS)二极管导通电阻建模的方法.通过该模型可计算出MPS二极管在单极、小注入及大注入3种工作模式的导通电阻.在单极模式及小注入模式,该模型考虑了温度对迁移率的影响,而在大注入模式下电流密度成为重要的影响因素.载流子分布被分析并运用于求解该电阻模型.经验证该模... 查...
4H-SiC NMOS电子、质子辐照数值模拟
基于4H-SIC的先进集成电路用n型LDMOS晶体管 摘要: 通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟,得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为。在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区,这促进了减小表面电场并因此增强...
4H-SiC BJT功率器件结构和特性研究 热度: 集美大学毕业设计林程20108850060 基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件仿真 [摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击 穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率、高频、抗辐射等领域 ...