采用有限元方法建立了4H-SiC单晶生长过程热弹性应力和位错滑移的数值模型,考虑了晶体直径、生长温度和离轴生长的影响。利用COMSOL Multiphysics软件的固体传热和热辐射物理场,计算了晶体生长炉内二维轴对称全局温度场,将计算得到的晶体二维温度分布通过软件转化为三维温度分布。基于固体力学和数学模块的域微分方程物理场...
在 SiC 晶片与衬底晶片键合之后,发生高温退火,在缺陷层中产生氢泡,促进 SiC 衬底分离,SiC 薄膜粘附在衬底上,从而形成 SiCOI。最后一步是化学机械抛光(CMP),以去除缺陷界面并使顶面光滑。该方法允许晶圆级制造,具有出色的薄膜厚度均匀性。然而,离子注入工艺会在 SiC 薄膜中引入大量缺陷,导致光在波导中传播时损耗很...
通常制备碳化硅器件所用的碳化硅外延材料均是采用沿(0001)面向面偏 8°的4H-SiC衬底材料外延生成的。[0004] 研究者们采用第一性原理分析碳化硅与介质层接触面的接触原理时发现,由于没 有4H-SiC材料的8°偏角原子模型,一般采用无偏角的4H-SiC材料原子模型进行建模及仿 真,这样得到的仿真模型与实际情况有偏差,仿真...
4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析
针对现有技术的不足,本发明的目的是提供一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和在碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中的应用,该模型更接近于实际应用,且建模方法简单,易于应用。 为实现上述目的,本发明采用以下技术方案: 一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,...
本发明的有益效果是:本发明所述的双凹槽阶梯缓冲栅4h-sic金属半导体场效应管及建模仿真方法,在p型缓冲层上方引入双凹槽,大幅提高了饱和电流密度;同时,由于该结构优化了电场线分布,击穿电压出现近10%的提高;最终,使得功率密度获得55%的大幅改善。 附图说明 ...
4H-SiCPiN二极管高温可靠性研究 本文主要从理论方面对4H-SiC PiN二极管的高温特性、自热效应以及封装热阻等方面进行了建模分析。本文主要利用SENTAURUS-TCAD器件仿真工具对4H-SiC Pi N功率二极管进行... 李家昌 - 西安电子科技大学 被引量: 7发表: 0年
此处提出一种对碳化硅(SiC)混合PiN/Schottky(MPS)二极管导通电阻建模的方法.通过该模型可计算出MPS二极管在单极、小注入及大注入3种工作模式的导通电阻.在单极模式及小注入模式,该模型考虑了温度对迁移率的影响,而在大注入模式下电流密度成为重要的影响因素.载流子分布被分析并运用于求解该电阻模型.经验证该模... 查...
4H-SiC功率MOSFET作为一种新型的高性能功率器件,因其优越的电气性能和物理特性而备受瞩目。本次选题旨在模拟两种新颖结构的4H-SiC功率MOSFET,并对其性能进行分析,为该领域的研究提供一定的参考。 二、研究内容和方法: 本研究将选取两种4H-SiC功率MOSFET的新颖结构进行建模,并采用Silvaco TCAD进行模拟仿真,研究其电学性能...
针对现有技术的不足,本发明的目的是提供一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和在碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中的应用,该模型更接近于实际应用,且建模方法简单,易于应用。 为实现上述目的,本发明采用以下技术方案: 一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型,...