美光从第一代32层3D NAND就开始采用这种在芯片的外围逻辑上构建其3D NAND阵列的方法，美光将之称为是CuA（CMOS-under-array）。该架构为容量增长、密度、性能和成本改进提供了一种扩展方法。将NAND的位单元阵列堆叠成更多层，每平方毫米硅片提供更多bit，从而实现更高的密度和更低的每bit成本。2022年7月下旬，美光...
全球主要的3D NAND闪存量产厂家包括: 三星电子:三星是全球首家量产3D NAND的公司,他们的V-NAND技术已经进入了第六代。 英特尔和美光:这两家公司曾经在IM Flash Technologies合作开发和生产3D NAND。 东芝和西部数据:这两家公司在日本的Yokkaichi联合开发和生产3D NAND。 SK海力士:是一家韩国的半导体公司,是全球最大的...
除了SK海力士以外,Intel也在ISSCC 2023上发布了一个与NAND Flash发展有关的论文,但该论文是从密度方面探索存储的升级。我们同样提供给大家参考。以下为文章译文: 1.67Tb、5b/Cell闪存采用192层浮栅3D-NAND技术 具有23.3Gb/mm2比特密度 多代4b/cell (QLC)浮栅3D NAND技术的成功部署为QLC在整个行业的采用铺平了道路[...
近日市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、KIOXIA/WD、YMTC的200层以上的3D NAND Flash进行了对比分析，发现三星的垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是最高的。传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构，包括控制栅极（Control Gate）和浮动栅极（Float Gate）。通过向单元施加电压，电子...
早在5月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现8平面3D NAND设备以及超过300字线的3D NAND IC。3D NAND终究还是卷到了300层……01 层数“争霸赛”众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，...
最终，3D NAND技术成为了新的发展方向，传统NAND Flash 采用平面设计，而3D NAND 是以则由原本平铺的存储单元所堆叠而成，由传统单层存储提升至高达上百层的堆叠，让其存储容量相较于传统2D NAND Flash有了大幅提升。直到今天，3D NAND也在持续推动着整个存储市场的发展，但行业内的对NAND未来发展方向的争议却似乎...
Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 我们再进一步解剖3D-NAND的结构,如图: Silicon wafer base layer:这是3D NAND结构的基础,即硅片。 Silicon bit cell gates:是控制电子流动的门结构,它...
3D NAND 闪存,采用 5 位/单元 (PLC) 多级存储技术。每个硅片的存储容量为1.67Tbit 自2013年3D NAND闪存开始商业化生产以来,存储密度以每年1.41倍左右的速度持续提升。从国际会议 ISSCC 上展示的原型硅芯片来看,2014 年存储密度为每平方毫米 0.93 Gbit,但 2024 年将...
相比之下，三星的超300层NAND Flash进展则更快。三星在2022年底就已经开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。其所采用的双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND Flash堆栈...