电子通过这个通道从源极流向漏极,根据浮动栅的电荷状态来控制这个流动,从而读取存储的信息。 2.2 3D NAND结构 控制栅(Control Gate):3D NAND的控制栅是环绕着存储柱的立体结构。 氮化硅(Nitride):3D NAND使用电荷陷阱存储电子。电子被存储在氮化硅中,氮化硅是包裹在多晶硅沟道...
图 1 – 典型 3D NAND 闪存结构的表示（BL=位线；WP=字板；BSP=底部选择板；SP=源板；TSL=顶部选择线）最先进的：环绕式垂直沟道；多达 300 个字线层 尽管并非所有存储器制造商都在追求，但电荷陷阱单元是当今大多数 3D NAND 结构的基础. 该存储单元类似于 MOSFET 晶体管，在晶体管的栅极氧化物（氧化物-...
平面 NAND 在每个节点上都减小了单元尺寸，而 3D NAND 则采用了更宽松的工艺，大约在 30nm 到 50nm 之间。3D NAND 内存容量的扩展主要是通过添加垂直层来实现的，在这种3D NAND结构中，单元密度会随着堆栈中层数的增加而增加。然后，每隔一到两年，供应商就会从一代技术迁移到下一代技术。根据研究数据显示，供应...
3D NAND的出现,正是为了突破2D NAND在容量上所受到的限制3D NAND的架构能在不破坏数据完整性的情况下,可以比2D NAND扩展到更高的密度,从而使得可存储容量有效增加。 3D NAND与2D NAND的最大区别在于,2D NAND是平面架构,3D NAND则是立体的。3D NAND使用多层垂直堆叠,将传统平面结构的NAND闪存堆叠起来,以节省空间...
Silicon wafer base layer:这是3D NAND结构的基础,即硅片。 Silicon bit cell gates:是控制电子流动的门结构,它们决定了是否允许电子进入或离开Silicon channel,从而实现数据的存储和读取。 Silicon dioxide gate dielectric:位于控制栅和Silicon channel之间的绝缘层,其功能是保持控制栅和Silicon channel之间的电气隔离。
在存储芯片领域,3D NAND结构代表着一项创新性的技术,引领着存储设备的发展。拓优星辰将详细介绍3D NAND结构是什么,以及它在存储卡和固态硬盘等领域的重要作用,帮助您更好地理解这一革命性技术。 1. 什么是3D NAND结构? 3D NAND,全名是三维 NAND,是一种与传统2D NAND不同的闪存存储技术。传统的2D NAND以平面形...
值得一提的是，3D NAND依旧在不断的堆叠当中，其中几家主要的NAND厂商，目前已经向200层以上发起进攻。三星一直处于3D NAND创新的前沿。他们在V7中采用了双层结构，并引入了COP整合以提高性能。随着V8 236层1 Tb TLC产品的发布，三星展示了其不断突破技术界限的承诺。展望未来，三星已经在计划V9，采用280层COP V-...
3D-NAND中的浮栅晶体管结构1.第一种材料结构(a) 显示了3D-NAND单元的俯视图,其中包含一个多晶硅浮栅,该浮栅由氧化物-多晶硅-氧化物-氮化物(OPOP)堆栈组成。这种结构允许每个存储单元独立地存储电荷,从而表示不同的数据状态。图(b) 是3D-NAND单元的侧视截面图,展示了多晶硅浮栅...
但在 3D NAND 结构中,这种存储单元充分发挥了潜力,这要归功于环栅 (GAA) 垂直通道实现方法。在此 GAA 配置中,栅极堆叠完全环绕通道。这种圆柱形几何形状在隧道氧化物中产生增强的场效应。这导致更大的载流子注入到捕获层,增强了编程/擦除窗口。 GAA 制造通常从生长氧化物/字线层堆栈开始。接下来,使用先进的干法...