图1. 3D NAND闪存技术的按时间顺序发展。 三维NAND闪存架构 3D NAND闪存的架构通常可分为栅极堆叠结构和沟道堆叠结构,如图2所示。在栅极堆叠结构中,堆叠栅极层后形成沟道,电流沿垂直方向流动。单元结构主要基于全栅极(GAA),因为沟道孔填充有多晶硅(poly-Si)和栅极电介质堆叠;从本质上讲,这种结构存在几个由孔径引起...
在这个发展过程中还引入了几项技术创新以维持这一趋势线。向三维的过渡可以说是最令人印象深刻的创新。在 3D NAND 闪存中，存储单元堆叠形成垂直串，单元由水平字线寻址。其他值得注意的创新包括增加每个单元的位数（最多四个）以及从浮栅晶体管过渡到用于存储操作的电荷陷阱单元。图 1 – 典型 3D NAND 闪存结构的...
3D NAND,全名是三维 NAND,是一种与传统2D NAND不同的闪存存储技术。传统的2D NAND以平面形式存在,而3D NAND则将存储单元垂直堆叠,形成了立体的三维结构。这种垂直层叠的设计使得存储密度和容量大幅度提升,同时也带来了更高的性能和可靠性。 2. 3D NAND的主要特点 a. 垂直层叠结构 3D NAND的最显著特点是其垂直...
在三维NAND 存储单元中,电荷的存储层可以是浮栅或氮化硅电荷俘获层(Charge-Trapping Layer, CTL)。三维CTL垂直沟道型NAND 闪存(3D NAND 或 V-NAND)基于无结型 (Junctionless, JL)薄膜场效应晶体管(TFT),具有更好的可靠性。 目前,国际上主流的 3D NAND产品是韩国三星电子研发出来的,2013 年第一代产品(32~64Gb...
到2030 年,在 GAA NAND 闪存微缩已经饱和之后,imec 预计将引入一种新的架构来连接电荷陷阱单元:沟槽单元架构(trench cell architecture)。通过这种架构,3D NAND 摆脱了圆形 GAA 存储单元几何结构。相反,这些单元是在沟槽的侧壁上实现的——类似于在其侧面倾斜的平面配置——在沟槽的相对壁上有两个晶体管。这种下一...
这种存储技术的成功与其不断扩展密度和成本的能力有关——这是 NAND 闪存技术发展的主要驱动力。大约每两年,NAND 闪存行业就会显着提高位存储密度,以增加的 Gbit/mm²表示。 在这个发展过程中还引入了几项技术创新以维持这一趋势线。向三维的过渡可以说是最令人印象深刻的创新。在 3D NAND 闪存中,存储单元堆叠...
三维DRAM有两层含义，其中一种已经投入生产。“三维DRAM最常见的应用场景是高带宽内存（HBM），”新思科技高带宽内存接口解决方案高级产品经理Bhavana Chaurasia说道。“HBM为当今高性能数据中心片上系统（SoC）提供了所需的带宽和性能。”但HBM是一种堆叠芯片式内存，并不像三维NAND闪存那样是单片式芯片。如果能将单片...
到2030 年,在 GAA NAND 闪存微缩已经饱和之后,imec 预计将引入一种新的架构来连接电荷陷阱单元:沟槽单元架构(trench cell architecture)。通过这种架构,3D NAND 摆脱了圆形 GAA 存储单元几何结构。相反,这些单元是在沟槽的侧壁上实现的——类似于在其侧面倾斜的平面配置——在沟槽的相对壁上有两个晶体管。这种下一...
根据国家知识产权局网站查询，长江存储早在2020年就申请了关于具 有XTACKING架构的DRAM专利，XTACKING架构为长江存储生产其3D NAND存储器的特有架构，采用了三维晶圆混合键合工 艺。根据专利描述，具有XTACKING架构的DRAM存储器包括具有形成于其中的阵列晶体管的第一晶圆,和具有形成于其中的电 容器结构的第二晶圆，以及形成...