一个代表性的例子是“多值”。平面（2D）NAND闪存中开始引入的多级存储一直以2位/单元（MLC）方法为主，而3位/单元（TLC）方法仍然处于边缘地位。除了3D NAND闪存的第一个原型是MLC之外，TLC从一开始就成为主流。与平面NAND闪存相比，存储密度提高了1.5倍。3D NAND闪存进一步发展了多级存储技术，并将4bit/cell（...
平面 NAND 在每个节点上都减小了单元尺寸，而 3D NAND 则采用了更宽松的工艺，大约在 30nm 到 50nm 之间。3D NAND 内存容量的扩展主要是通过添加垂直层来实现的，在这种3D NAND结构中，单元密度会随着堆栈中层数的增加而增加。然后，每隔一到两年，供应商就会从一代技术迁移到下一代技术。根据研究数据显示，供应...
国内方面，长江存储在NAND领域取得不断突破，持续缩短与海外巨头的差距，在2020年成功研发128层3DNAND闪存产品。为了在3DNAND的基础上进一步提高存储容量，SK海力士推出了4DNAND技术，4DNAND技术主要通过在3DNAND中利用单元下外围(PUC)技术，在单元下方形成外围电路，减少外围电路所占面积，从而实现容量的增加和成本的降低...
在第三届GMIF2024创新峰会上，西部数据闪存先进技术副总裁李艳博士发表了关于《3D QLC NAND Flash拓展及其应用》的主题演讲，全面阐述了当前3D NAND技术的发展现状、技术挑战及其在AI时代的应用前景。作为全球存储技术的领导者，西部数据不仅在硬盘市场占有重要地位，同时也在Flash存储领域具有深厚积累，特别是通过3D QLC ...
什么是3D NAND技术?半导体行业观察 立即播放 打开App,流畅又高清100+个相关视频 更多1.2万 -- 1:33 App 【动画科普】3D NAND的关键工艺——突破200层的3D NAND技术一探究竟 7.5万 63 6:19 App 芯片制造全流程——6分钟看完就懂! 2210 -- 7:44 App 芯片是怎么做的?来自三星的科普(来源:三星半导体) ...
在存储芯片领域,3D NAND结构代表着一项创新性的技术,引领着存储设备的发展。拓优星辰将详细介绍3D NAND结构是什么,以及它在存储卡和固态硬盘等领域的重要作用,帮助您更好地理解这一革命性技术。 1. 什么是3D NAND结构? 3D NAND,全名是三维 NAND,是一种与传统2D NAND不同的闪存存储技术。传统的2D NAND以平面形...
是时候更新和回顾3D NAND产业路线图了。我们将逐一探讨主要厂商的3D NAND技术路线图,包括三星、铠侠/西部数据、美光、SK海力士/Solidigm、长江存储和旺宏电子。 图1:3D NAND产业/技术路线图(2024年Q1) 三星在V7中将1 deck结构改为2-deck架构,并将2D array-peripheral设计改为cell-on- peripheral (COP)集成。三星...
【环球网科技综合报道】11月26日消息,三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了重大技术突破,成功将光刻胶(PR)的使用量减半,这一创新预计将显著提升生产效率并大幅降低成本。 据韩媒The Elec报道,三星电子通过精确控制涂布机的转速(rpm)和优化PR涂层后的蚀刻工艺,将每层涂层所需的光刻胶用量从7-8cc降低至4-4.5cc。
近日，铠侠CTO宫岛英史在近日举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标2030~2031年推出1000层的3D NAND闪存。而目前铠侠与合作伙伴西部数据开发的最先进产品是218层堆叠的BICS8 3D NAND。无独有偶，早在去（2023）年，三星存储业务高管于夏季会议上透露，预计到2030年，V-NAND技术可以实现超过...