在2D NAND存储器时代,工艺水平难以实现逻辑单元和存储单元的紧密耦合,导致无法在性能和成本之间做到良好的折衷,而3D NAND技术的出现有效提升了存储容量,使得高密度存储芯片在商业上变得可行; 图7 (a)英特尔PLC型3D NAND的阈值电压分布[65];(b)在77K低温下实现每个器件存储7位数据的3D NAND阈值电压分布 (2) 存储...
平面(2D)NAND闪存中开始引入的多级存储一直以2位/单元(MLC)方法为主,而3位/单元(TLC)方法仍然处于边缘地位。除了3D NAND闪存的第一个原型是MLC之外,TLC从一开始就成为主流。与平面NAND闪存相比,存储密度提高了1.5倍。 3D NAND闪存进一步发展了多级存储技术,并将4bit/...
最终，3D NAND技术成为了新的发展方向，传统NAND Flash 采用平面设计，而3D NAND 是以则由原本平铺的存储单元所堆叠而成，由传统单层存储提升至高达上百层的堆叠，让其存储容量相较于传统2D NAND Flash有了大幅提升。直到今天，3D NAND也在持续推动着整个存储市场的发展，但行业内的对NAND未来发展方向的争议却似乎...
3D NAND闪存进一步发展了多级存储技术，并将4bit/cell（QLC）方法投入实际应用。这相当于平面 NAND 闪存 (MLC) 存储密度的两倍，是现有 3D NAND 闪存 (TLC) 存储密度的 1.33 倍。字线层数（横轴）与存储密度（纵轴）之间的关系。TLC（3位/单元）方法和QLC（4位/单元）方法之间的存储密度存在明显差异。改变...
关于3D NAND Flash未来的发展,提升密度和增加层数是产业界聚焦的两个方向。而在ISSCC 2023 会议上,韩国存储巨头SK海力士提交了一篇论文,展示了他们如何开发出 300 层以上的 3D NAND 技术,以创纪录的 194GBps 速度摄取数据。在这篇又35名SK海力士工程师写就的论文里,他们写道:”“NAND 闪存领域最重要的主题是持续...
在3D NAND技术推出之前，NAND闪存均为2D平面形式。2D NAND架构的原理就像是在一个有限的平面上盖平房，平房的数量越多，容量也就越大。过往存储芯片厂商将平面NAND中的单元尺寸从120nm扩展到1xnm 节点，实现了100倍的容量。不过随着单元尺寸达到14纳米的物理极限，2D结构在扩展存储容量方面有着很大的局限性（当工艺...
平面 NAND 在每个节点上都减小了单元尺寸，而 3D NAND 则采用了更宽松的工艺，大约在 30nm 到 50nm 之间。3D NAND 内存容量的扩展主要是通过添加垂直层来实现的，在这种3D NAND结构中，单元密度会随着堆栈中层数的增加而增加。然后，每隔一到两年，供应商就会从一代技术迁移到下一代技术。根据研究数据显示，供应...
关于3D NAND Flash未来的发展,提升密度和增加层数是产业界聚焦的两个方向。而在ISSCC 2023 会议上,韩国存储巨头SK海力士提交了一篇论文,展示了他们如何开发出 300 层以上的 3D NAND 技术,以创纪录的 194GBps 速度摄取数据。 在这篇又35名SK海力士工程师写就的论文里,他们写道:”“NAND 闪存领域最重要的主题是持...