基于闪存数据存储的原理,Fujio Masuoka在1987年进一步提出了NAND架构,采用串联的方式将闪存单元组织在一起,可以显著减少选择管和金属接触所占用的面积,从而在不用缩减器件特征尺寸的情况下实现存储密度的提升。也正是因为节省了选择管和金属接触的面积,在相同的技术节点下,如2X节点,2D NAND可以实现比2D DRAM更小的存储...
平面(2D)NAND闪存中开始引入的多级存储一直以2位/单元(MLC)方法为主,而3位/单元(TLC)方法仍然处于边缘地位。除了3D NAND闪存的第一个原型是MLC之外,TLC从一开始就成为主流。与平面NAND闪存相比,存储密度提高了1.5倍。 3D NAND闪存进一步发展了多级存储技术,并将4bit/...
英特尔原型设计的 3D NAND 闪存，采用 5 位/单元 (PLC) 多级存储技术。每个硅片的存储容量为1.67Tbit，为有史以来最大的。自2013年3D NAND闪存开始商业化生产以来，存储密度以每年1.41倍左右的速度持续提升。从国际会议 ISSCC 上展示的原型硅芯片来看，2014 年存储密度为每平方毫米 0.93 Gbit，但 2024 年将...
Intel-Micron联盟的3D NAND闪存技术 （图源：pc.watch）Intel 第四代的144层转向自研，该NAND string首次在source和bitline之间由三层（upper deck，middle deck，lower deck和48L）组成，并为TLC和QLC设备保留了FG CuA结构。每个deck都可以分配给 QLC 或 SLC 块的任意组合，以充分受益于英特尔在存储系统中的新的...
关于3D NAND Flash未来的发展,提升密度和增加层数是产业界聚焦的两个方向。而在ISSCC 2023 会议上,韩国存储巨头SK海力士提交了一篇论文,展示了他们如何开发出 300 层以上的 3D NAND 技术,以创纪录的 194GBps 速度摄取数据。在这篇又35名SK海力士工程师写就的论文里,他们写道:”“NAND 闪存领域最重要的主题是持续...
3D NAND是一种非易失性存储技术(NVM Non-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种。 什么是非易失性存储技术? 它是一种能够在断电后保持存储数据的存储器技术,与易失性存储器不同,非易失性存储器不需要持续的电源供应来保持存储的数据,包括ROM Read-Only Memory 与Flash Memory 两种。
3DNAND为NAND技术的主流发展趋势。在早期，NAND闪存主要以2D平面形式存在，其扩展容量的原理主要通过在一个平面上将多个存储单元进行拼接，存储单元的数量越多，存储容量就越大，随着存储芯片厂商将2DNAND的单元尺寸从120nm微缩至14nm时，2D结构在容量扩展方面的局限性开始显现，其可靠性会随着制程微缩进一步下降。为了...
3D NAND,轻松突破300层 关于3D NAND Flash未来的发展,提升密度和增加层数是产业界聚焦的两个方向。而在ISSCC 2023 会议上,韩国存储巨头SK海力士提交了一篇论文,展示了他们如何开发出 300 层以上的 3D NAND 技术,以创纪录的 194GBps 速度摄取数据。 在这篇又35名SK海力士工程师写就的论文里,他们写道:”“NAND ...