金融界 2025 年 1 月 15 日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司取得一项名为“3D NAND 存储器的形成方法”的专利，授权公告号 CN 114188347 B，申请日期为 2020 年 10 月。天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业...
「专利解密」长江存储 3D NAND存储器 集微网消息，2020年1月16日，长江存储召开市场合作伙伴年会，并在会前披露了闪存技术方面的一些新情报。据介绍，长江存储研发了自己的Xtacking堆栈架构，已经可以保证可靠性问题。就在日前，长江存储确认采用Xtacking技术的64层3D闪存产品已经实现量产，并正扩充产能，将尽早达成10万...
2025年1月15日,长江存储科技有限责任公司宣布获得了一项名为“3D NAND存储器的形成方法”的专利(授权公告号CN114188347B),这为其在存储技术领域的创新奠定了基础。该专利的申请日期为2020年10月,标志着长江存储在推动3D NAND闪存技术发展方面迈出了重要一步。作为一家成立于2016年的武汉公司,长江存储已经在计算机和其...
根据金融界2025年1月15日的报道,国家知识产权局最新公布,长江存储成功获得了一项名为“3D NAND存储器的形成方法”的专利,授权公告号为CN114188347B,申请日期则追溯至2020年10月。这标志着长江存储在全球存储器领域的技术影响力再度提升。 长江存储成立于2016年,总部位于武汉,是我国领先的半导体存储制造企业之一。企业在...
1.【专利解密】长江存储 3D NAND存储器; 2020年1月16日,长江存储召开市场合作伙伴年会,并在会前披露了闪存技术方面的一些新情报。 据介绍,长江存储研发了自己的Xtacking堆栈架构,已经可以保证可靠性问题。就在日前,长江存储确认采用Xtacking技术的64层3D闪存产品已经实现量产,并正扩充产能,将尽早达成10万片晶圆的月产...
同时，长江存储还发布了128层512Gb TLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。 作为国产存储龙头，长江存储成立于 2016 年 7 月，是一家专注于 3D NAND 闪存设计制造一体化的IDM 集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案，产品广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务...
以上就是长江存储科技的3D NAND存储器等级层堆栈制造方法,长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式,已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片,填补了国内空白,并力争成为世界一流的3D NAND闪存产品供应商!
长江存储科技取得 3D NAND 存储器的形成方法专利 金融界 2025 年 1 月 15 日消息,国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司取得一项名为“3D NAND 存储器的形成方法”的专利,授权公告号 CN 114188347 B,申请日期为 2020 年 10 月。 天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,...
而从国内市场来看,国产厂商长江存储于4月13月突破100层技术,研发成功了128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070),达到国际领先水平。据从长江存储了解到的消息称,该产品最晚将于2021年上半年开始量产,未来将在满产时实现10万片月产能。 附:国内外存储器细分领域龙头企业一览 ...
中国存储器制造商长江存储在加州对美国美光科技提起诉讼,指控其侵犯 3D NAND 闪存和 DRAM 产品相关的 11 项专利。长江存储寻求停止美光在美国销售涉嫌侵权的产品,并要求支付专利费。长江存储于2016年在中国武汉成立,是中国发展国产芯片产业的关键参与者。然而,2022年10月,美国政府将长江存储列入实体清单,限制其使用美国...