在第三届GMIF2024创新峰会上，西部数据闪存先进技术副总裁李艳博士发表了关于《3D QLC NAND Flash拓展及其应用》的主题演讲，全面阐述了当前3D NAND技术的发展现状、技术挑战及其在AI时代的应用前景。作为全球存储技术的领导者，西部数据不仅在硬盘市场占有重要地位，同时也在Flash存储领域具有深厚积累，特别是通过3D QLC ...
消息称，从第9代3D NAND开始，三星将全面应用这项新技术。这一创新举措预计将为三星节省每年数十亿韩元的成本。但这也意味着东进半导体化学公司将面临来自三星的订单减少。东进半导体化学公司目前每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元收入，其中60%来自三星。（鱼七）
除了SK海力士以外,Intel也在ISSCC 2023上发布了一个与NAND Flash发展有关的论文,但该论文是从密度方面探索存储的升级。我们同样提供给大家参考。以下为文章译文: 1.67Tb、5b/Cell闪存采用192层浮栅3D-NAND技术 具有23.3Gb/mm2比特密度 多代4b/cell (QLC)浮栅3D NAND技术的成功部署为QLC在整个行业的采用铺平了道路[...
平面(2D)NAND闪存中开始引入的多级存储一直以2位/单元(MLC)方法为主,而3位/单元(TLC)方法仍然处于边缘地位。除了3D NAND闪存的第一个原型是MLC之外,TLC从一开始就成为主流。与平面NAND闪存相比,存储密度提高了1.5倍。 3D NAND闪存进一步发展了多级存储技术,并将4bit/...
本文介绍了五种新技术,利用单元阵列架构下的外设电路实现高性能1Tb 3bit/cell 3D-NAND闪存。如图28.2.6所示的关键比较表报告了20Gb/mm2的比特密度,这是通过使用超过300个堆叠的WL来实现的,与之前的工作相比,它提高了程序吞吐量、tR和比特密度。所制造的TLC NAND芯片的模具显微照片如图28.2.7所示。
开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。 增加3D NAND 闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间,新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。 英特尔原型设计的 3D NAND 闪存,采用 5 位/单元 (PLC) 多级存储技术。每...
新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。2007年，随着2DNAND达到...
根据业内消息，长江存储对这款192层3D NAND闪存芯片的量产非常谨慎。为了确保产品质量和良品率，预计将在2024年下半年才开始试产。这种稳扎稳打的态度显示出企业对产品质量的重视。在技术指标方面，这款新型存储芯片不仅在层数上领先，在读写速度、功耗等关键性能指标上也达到了国际一流水平。这意味着它完全有实力与...
2024年12月,三星电子即将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示其最新的第10代3D NAND技术,革命性的超过400层V-NAND架构引起了行业内外的广泛关注。此项新技术不仅标志着存储密度的再度提升,更为数据中心与消费电子的高速发展提供了强有力的支持。 技术背景与创新亮点新一代三星V-NAND采用了TLC(三层单元)架构,每颗存储...
谈到 3D NAND 单元效率，垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 对于 NAND 单元工艺、设计、集成和设备操作而言非常重要。随着堆叠的总栅极数量的增加，单元 VC（vertical cell）孔高度也会增加。为了降低 VC 高度和纵横比，其中一种方法是通过减少虚拟栅极（dummy gates）、通过栅极（passing gates）和选择栅极...