Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 我们再进一步解剖3D-NAND的结构,如图: Silicon wafer base layer:这是3D NAND结构的基础,即硅片。 Silicon bit cell gates:是控制电子流动的门结构,它...
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来，解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。相同颗粒数的96层堆叠闪存比32层堆叠闪存的容量大很多，所需要的技术难度也更大。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术的平面闪存，3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术...
Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 氮化硅(Nitride):3D NAND使用电荷陷阱存储电子。电子被存储在氮化硅中,氮化硅是包裹在多晶硅沟道周围,代替了2D NAND中的浮动栅。这种电荷陷阱层使NAND具有非易失性的数据存储能力。 我们再进一...
而3D NAND正是为了克服 2D NAND 的容量限制而开发的。3D NAND 架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更高的密度。与存储单元水平堆叠的2D NAND 不同,3D NAND 使用多层垂直堆叠,以实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低的成本。由于将如此多的垂直单元封装成较小的宽度和长度尺寸...
不过随着单元尺寸达到14纳米的物理极限，2D结构在扩展存储容量方面有着很大的局限性（当工艺尺寸达到一定阶段之后，闪存就很容易因为电子流失而丢失其中保存的数据）。随着2D NAND的微缩达到极限，2007年东芝（现在的铠侠）提出了3D NAND结构的技术理念，3D NAND是行业的一个创新性方向。与减少每个节点单元尺寸的平面NAND...
3D NAND和2D NAND是两种不同的NAND闪存技术,它们在性能、结构和成本方面有所不同。以下是3D NAND与2D NAND的性能对比: 存储密度:3D NAND:由于其垂直堆叠的结构,3D NAND可以在同样的硅片面积上提供更高的存储密度。这意味着在相同大小的存储设备中,3D NAND可以存储更多的数据。2D NAND:传统的2D NAND采用平面结构...
2D NAND的平面工艺终于在2016年走到了尽头。Cell的尺寸已经缩小到不能再缩小。1Znm节点(~15nm)的floating gate里面总共可能只有十几个电子,用来表示8个状态(TLC)实在是力不从心。于是3D NAND应运而生。 01 3D NAND发展史 时间来到2007年。在日本东京举办的超大规模集成电路研讨会(VLSI)上,Toshiba第一次提出了...
什么是3DNAND?与2DNAND相比有什么优势? 3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展...
3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。
2D NAND结构中，控制栅位于顶部，用于控制浮动栅的电子流动。浮动栅储存电子来表示1和0，单晶硅通道连接源极和漏极，根据浮动栅的电荷状态控制电子流动，实现信息读取。相比之下，3D NAND的控制栅呈环绕状，构建在存储柱的立体结构上。多晶硅材料构成的Poly-Si Channel垂直于硅片，替代了2D NAND中的单晶硅...