而3D NAND正是为了克服 2D NAND 的容量限制而开发的。3D NAND 架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更高的密度。与存储单元水平堆叠的2D NAND 不同,3D NAND 使用多层垂直堆叠,以实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低的成本。由于将如此多的垂直单元封装成较小的宽度和长度尺寸...
而三星在2013年直接量产了3D NAND,命名为V-NAND。第一代V-NAND作为全球首款量产的3D NAND,只有24层(注意我们所说的XX层,都是指有效WL的层数)。Toshiba在2016年推出了BiCS2(48层)。量产时间整整比三星晚了3年。作为DRAM领域绝对的霸主,三星在3D NAND上也持续发力,V-NAND基本上每年都会迭代。而且在3D NAND上...
在3D实现方面，存储器比逻辑更早进入实用阶段。NAND闪存率先迈向3D 。随着目前量产的20-15nm工艺，所有公司都放弃了小型化，转而转向存储单元的三维堆叠，以提高每芯片面积的位密度。它被称为“ 3D（三维）NAND ”。东芝于2007年成为业界第一家提出3D NAND概念的公司。使用从顶部到底部穿透多层薄膜的蚀刻工艺，可以...
有些人将这种通过3D实现的集成度提高称为“摩尔定律2.0 ”。 在3D实现方面,存储器比逻辑更早进入实用阶段。NAND闪存率先迈向3D 。随着目前量产的20-15nm工艺,所有公司都放弃了小型化,转而转向存储单元的三维堆叠,以提高每芯片面积的位密度。它被称为“ 3D(三维)NAND ”。 东芝于2007年成为业界第一家提出3D NA...
2D NAND的平面工艺终于在2016年走到了尽头。Cell的尺寸已经缩小到不能再缩小。1Znm节点(~15nm)的floating gate里面总共可能只有十几个电子,用来表示8个状态(TLC)实在是力不从心。于是3D NAND应运而生。 01 — 3D NAND发展史 时间来到2007年。在日本东京举办的超大规模集成电路研讨会(VLSI)上,Toshiba第一次提出...
1)主流厂商基本实现从2D NAND到3D NAND的产品转换,三星电子领先1-2年。从2014年3D NAND量产开始,到2018年主要NAND厂商基本完成从2D 到3D 的产品转换。2018年NAND Flash厂商三星电子、东芝/西部数据、美光、英特尔等原厂的3D NAND生产比重己超过80%,美光甚至达到90%。
作为DRAM领域绝对的霸主，三星在3D NAND上也持续发力，V-NAND基本上每年都会迭代。而且在3D NAND上面还会...
缺点是层间电磁干扰和热量堆积,理论上对寿命和性能有害,但有害幅度不如有利幅度所以可以忽略。 真·小白·猫 小有名气 12 3D的寿命3000次战平末代MLC,2D的eTLC也只敢标称2000次 暴燥老哥- 锋芒毕露 11 刚百度还发现原来去年时候海力士就推出了4d nand,今年是不是就可以量产了?
Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 我们再进一步解剖3D-NAND的结构,如图: Silicon wafer base layer:这是3D NAND结构的基础,即硅片。 Silicon bit cell gates:是控制电子流动的门结构,它...
与3D NAND相似，V-NAND同样支持从SLC到MLC、TLC和QLC的转换。在3D NAND和V-NAND技术中，数据的读取都是通过施加电压来感应并确定存储在单元中的电荷差异，从而识别出代表数据的二进制位（0和1）。这两种技术都依赖于这种电荷感应的原理来进行工作。值得一提的是，三星声称其V-NAND技术具有更高效的写入过程，并且...