3D V-NAND闪存 (3D垂直NAND闪存) 3D垂直NAND闪存是在三维矩阵中垂直构建一层存储单元的NAND闪存。 3D V-NAND闪存旨在突破2D NAND闪存工艺限制。 三星半导体采用前沿10nm工艺,缩小相邻存储单元之间的间隙。但,这一方式增加了电子泄露干扰。所以,三星半导体开发了一种三维垂直堆叠单层存储单元的创新结构,以克服这一问题...
美光从第一代32层3D NAND就开始采用这种在芯片的外围逻辑上构建其3D NAND阵列的方法，美光将之称为是CuA（CMOS-under-array）。该架构为容量增长、密度、性能和成本改进提供了一种扩展方法。将NAND的位单元阵列堆叠成更多层，每平方毫米硅片提供更多bit，从而实现更高的密度和更低的每bit成本。2022年7月下旬，美光...
三星在2022年底就已经开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。其所采用的双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND Flash堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈。目前尚不...
产业链厂商或研究机构也在创新制造工艺、新型材料等方面,为3D NAND存储密度和层数提供技术性的支撑,在一定程度上助推了这一场3D NAND的技术应用角逐战。 3D NAND层数之争愈演愈烈 当前,存储芯片领域需求最为紧张的仍然是HBM,但AI大模型客观上也推动了NAND...
三星的绕开平面(2D)NAND闪存制程工艺,大胆破局,提出“ 3D V-NAND”闪存技术畅想,不再追求缩小cell单元,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元,实现容量增多的目的。放弃浮栅极MOSFET,采用电荷攫取闪存(charge trap flash,简称CTF)设计。每个cell单元看起来更小了,同时里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前的导体上,理论...
近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。 同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。 早…
他们最新的多层V-NAND 在前几代以高效著称的基础上，拥有令人印象深刻的垂直单元效率。美光和YMTC也在其产品中展示了强劲的垂直单元效率数据，这反映出它们在减少虚拟栅极、通过栅极和选择栅极数量方面取得了显著进步，从而优化了垂直单元效率。△3D NAND 垂直单元效率趋势 总结来看，三星每一代产品的VCE都是最高的，...
迄今为止,主流的3D NAND架构大抵有以上这五种:V-NAND、BiCS、CuA(COP)、4D PUC和Xtacking。然而就像盖高楼大厦一样,简单的堆层数不是最终目的,高楼不仅要高,还要保证可以通过安全高效的电梯轻松抵达,即每个存储芯片内部的V-NAND能否以更快、更高效、更省电的方式继续上升?这就非常考验各家的本领。随着NAND技术的进...
3D V-NAND目前的优势 堆叠层数的提高最终会带来SSD容量的成倍提升,同时由于该技术中包含的其他一些特性,使得采用该技术的产品还将为我们带来很多惊喜。 ① 抛弃了传统的浮栅极MOSFET结构,采用了用控制栅极和绝缘层将MOSFET环形包裹起来的方式,会提高产品的使用寿命。之前浮栅极MOSFET结构是将电子存储在栅极中,每次写入...
与容量为128Gb的传统NAND相比,三星此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片密度实现翻倍增 长。除了在单芯片上支持存储容量高达32GB(256Gb)之外,新的芯片还能轻松地翻倍提升现有SSD的存储容量 ,轻松TB级别,这可是三星的优势。 据悉,在新一代V-NAND闪存中,每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash(简称CTF)结构...