3D-NAND 闪存工艺成熟并且存储密度极高, 基于 3D-NAND 的神经形态芯片受到许多研究者的关注. 然而由于该技术的专利性质, 少有基 于 3D-NAND神经形态计算的硬件实现. 本文综述了用 3D-NAND 实现神经形态计算的工作, 介绍了其中前 向传播和反向传播的机制, 并提出了目前 3D NAND 在器件、结构和架构上需要的改进...
除了SK海力士以外,Intel也在ISSCC 2023上发布了一个与NAND Flash发展有关的论文,但该论文是从密度方面探索存储的升级。我们同样提供给大家参考。以下为文章译文: 1.67Tb、5b/Cell闪存采用192层浮栅3D-NAND技术 具有23.3Gb/mm2比特密度 多代4b/cell (QLC)浮栅3D NAND技术的成功部署为QLC在整个行业的采用铺平了道路[...
美光从第一代32层3D NAND就开始采用这种在芯片的外围逻辑上构建其3D NAND阵列的方法，美光将之称为是CuA（CMOS-under-array）。该架构为容量增长、密度、性能和成本改进提供了一种扩展方法。将NAND的位单元阵列堆叠成更多层，每平方毫米硅片提供更多bit，从而实现更高的密度和更低的每bit成本。2022年7月下旬，美光...
3DNAND为NAND技术的主流发展趋势。在早期，NAND闪存主要以2D平面形式存在，其扩展容量的原理主要通过在一个平面上将多个存储单元进行拼接，存储单元的数量越多，存储容量就越大，随着存储芯片厂商将2DNAND的单元尺寸从120nm微缩至14nm时，2D结构在容量扩展方面的局限性开始显现，其可靠性会随着制程微缩进一步下降。为了...
3D NAND闪存的用处 3D NAND闪存带来的最直接的价值,就是能够提供容量的更大的闪存给用户使用,近几年来许多大厂纷纷投入3D NAND的研发,但目前只有Samsung, Toshiba/SanDisk/WD, SK Hynix, Micron/Intel四组公司能够量产3D NAND。由于3D NAND价格昂贵,所以并不是所有领域都适合采用。常见的有以下场景: ...
3D NAND是一种新兴的闪存类型,通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或平面NAND闪存带来的限制。从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦,所谓3D闪存就是2D闪存的堆叠。Intel曾经以盖楼为例介绍了NAND,普通的NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子变多了,理论上来讲可以无限堆叠,但是由于技术和材料限制,目...
图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author) 左边二个是 Planar NAND,只是存储单元结构不同,由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存,即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF),最后通过工艺技术提...
3D NAND、DRAM 和高级内存技术生产解决方案。 联系我们 人工智能、联网汽车、IoT、移动设备和许多其他应用的数据需求推动了内存结构的创新。3D NAND、DRAM 和其他高级内存结构将更多的字节填充到更窄的空间中,具有更高的长宽比,以满足性能、延迟和容量需求。随着垂直堆栈和缩小至更小单元设计方面的增加,工艺复杂性、成...
3D NAND颗粒通过垂直堆叠的方式,将存储单元的数量提高到了2D NAND的数倍,从而实现了更高的存储密度。这意味着,相同的面积内可以存储更多的数据,从而实现更大的存储容量。 2. 寿命更长 由于3D NAND颗粒的存储单元更加紧密,因此它们的寿命也更长。这是因为,3D NAND颗粒可以更好...