全球主要的3D NAND闪存量产厂家包括: 三星电子:三星是全球首家量产3D NAND的公司,他们的V-NAND技术已经进入了第六代。 英特尔和美光:这两家公司曾经在IM Flash Technologies合作开发和生产3D NAND。 东芝和西部数据:这两家公司在日本的Yokkaichi联合开发和生产3D NAND。 SK海力士:是一家韩国的半导体公司,是全球最大的...
除了SK海力士以外,Intel也在ISSCC 2023上发布了一个与NAND Flash发展有关的论文,但该论文是从密度方面探索存储的升级。我们同样提供给大家参考。以下为文章译文: 1.67Tb、5b/Cell闪存采用192层浮栅3D-NAND技术 具有23.3Gb/mm2比特密度 多代4b/cell (QLC)浮栅3D NAND技术的成功部署为QLC在整个行业的采用铺平了道路[...
3D NAND 存储单元的存储性能优异,具有写入 / 擦除快速,存储窗口大于 6V ,存储写入 / 擦除次数大于 10^4,以及在 85°C 下数据保持能力可达10年等优势。 上图所示为 3D NAND 闪存器件制造工艺流程示意图。在完成 CMOS的源漏之后,开始重覆沉淀多层氧化硅/氮化硅,然后进行光刻和沟道超深孔刻蚀(深宽比大于30:1)...
3DNAND为NAND技术的主流发展趋势。在早期，NAND闪存主要以2D平面形式存在，其扩展容量的原理主要通过在一个平面上将多个存储单元进行拼接，存储单元的数量越多，存储容量就越大，随着存储芯片厂商将2DNAND的单元尺寸从120nm微缩至14nm时，2D结构在容量扩展方面的局限性开始显现，其可靠性会随着制程微缩进一步下降。为了...
在3D NAND技术推出之前，NAND闪存均为2D平面形式。2D NAND架构的原理就像是在一个有限的平面上盖平房，平房的数量越多，容量也就越大。过往存储芯片厂商将平面NAND中的单元尺寸从120nm扩展到1xnm 节点，实现了100倍的容量。不过随着单元尺寸达到14纳米的物理极限，2D结构在扩展存储容量方面有着很大的局限性（当工艺...
3D NAND闪存的用处 3D NAND闪存带来的最直接的价值,就是能够提供容量的更大的闪存给用户使用,近几年来许多大厂纷纷投入3D NAND的研发,但目前只有Samsung, Toshiba/SanDisk/WD, SK Hynix, Micron/Intel四组公司能够量产3D NAND。由于3D NAND价格昂贵,所以并不是所有领域都适合采用。常见的有以下场景: ...
3D NAND闪存实现了新一代的非易失性固态存储,适用于几乎所有我们可以想像得到的电子设备。 3D NAND能够实现超过2D NAND结构的数据密度,即便是在新一代技术节点上制造时也是如此。 然而,目前提高3D NAND存储容量的方法可能会带来一些在存储器储存、结构稳定性和电气特性方面的不利影响。
此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。 图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper ...
东京电子开发出可生产400层3DNAND闪存的设备 东京威力科创 / 东京电子(Tokyo Electron)为了追赶泛林集团(Lam Research),成功开发出可生产 400 层 3D NAND 闪存的设备,预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。生产 3D NAND 需要专门的设备,目前主要由美国公司泛林集团控制。6月份曾经报道,东京电子开发出全新蚀...