Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 我们再进一步解剖3D-NAND的结构,如图: Silicon wafer base layer:这是3D NAND结构的基础,即硅片。 Silicon bit cell gates:是控制电子流动的门结构,它...
Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 氮化硅(Nitride):3D NAND使用电荷陷阱存储电子。电子被存储在氮化硅中,氮化硅是包裹在多晶硅沟道周围,代替了2D NAND中的浮动栅。这种电荷陷阱层使NAND具有非易失性的数据存储能力。 我们再进一...
3D NAND是为了克服 2D NAND 的容量限制而开发的。3D NAND 架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更...
首先是2D NAND,我们知道在数学和物理领域,2D/3D都是指的方向,都是指的坐标轴,2D指的是平面上的长和宽,而3D则是在2D基础上,添加了一个垂直方向的高的概念。由此,2D NAND真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式,是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。 相对应的,3D NAND则是在二维平面基础上,...
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来，解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。相同颗粒数的96层堆叠闪存比32层堆叠闪存的容量大很多，所需要的技术难度也更大。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术的平面闪存，3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术...
3D NAND:由于其高存储密度,3D NAND在单位存储容量的成本上相对较低。这使得3D NAND成为制造SSD和其他存储设备的首选。2D NAND:随着制程技术的进步,2D NAND的成本有所下降,但在高容量存储设备中,其成本效益通常低于3D NAND。读写性能: 3D NAND:3D NAND通常提供更快的读写速度,尤其是在高容量设备中。这是因为...
由此,2D NAND真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式,是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。 相对应的,3D NAND则是在二维平面基础上,在垂直方向也进行颗粒的排列,即将原本平面的堆叠方式,进行了创新。 利用新的技术(即3D NAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一...
此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。 图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper ...
2D NAND结构中，控制栅位于顶部，用于控制浮动栅的电子流动。浮动栅储存电子来表示1和0，单晶硅通道连接源极和漏极，根据浮动栅的电荷状态控制电子流动，实现信息读取。相比之下，3D NAND的控制栅呈环绕状，构建在存储柱的立体结构上。多晶硅材料构成的Poly-Si Channel垂直于硅片，替代了2D NAND中的单晶硅...
从表1 中我们可以看到 3D NAND 的位密度高于 2D NAND,64 层的 3D NAND 更是超过了 16nm 的 2D NAND 的三倍! 目前3D NAND 的产量还不及 2D NAND,因此每个晶圆上优良位的数量还未达到 3D 位密度优势应有的水平。 位成本 为了计算位成本,我们需要晶圆成本、位密度和产量。如上所述,晶圆成本严重依赖于生产...