3D NAND:3D NAND通常提供更快的读写速度,尤其是在高容量设备中。这是因为垂直堆叠的结构可以减少读写操作所需的寻址时间。2D NAND:传统的2D NAND在较小容量设备中可能提供良好的性能,但随着容量的增加,其读写速度可能会降低。 耐用性:3D NAND:3D NAND通过更好的磨损平衡和控制技术,可以提供与2D NAND相似的耐用...
NAND是一种比机械硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量中表现得更好。现在追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，因此，NAND极具吸引力。3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层，3D TLC/MLC颗粒的不同产品，各大厂商的技术不尽相同。根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次...
Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 氮化硅(Nitride):3D NAND使用电荷陷阱存储电子。电子被存储在氮化硅中,氮化硅是包裹在多晶硅沟道周围,代替了2D NAND中的浮动栅。这种电荷陷阱层使NAND具有非易失性的数据存储能力。 我们再进一...
为了保证NAND密度能够不断提升，厂商们在这20年时间中实施了更多创新，从而促进具有挑战性的 3D 工艺或进一步提高位密度，后者的一个例子是将每个单元的比特数增加到最多4个，这是NAND闪存技术的真正优势。例如，使用4个比特时，多级单元在每个单独的晶体管中使用16个离散电荷级别，这得益于足够大的存储窗口。另一个...
3D NAND与2D NAND在结构上有显著差异，前者在存储密度、数据读写速度、功耗和使用寿命方面具备显著优势。2D NAND结构中，控制栅位于顶部，用于控制浮动栅的电子流动。浮动栅储存电子来表示1和0，单晶硅通道连接源极和漏极，根据浮动栅的电荷状态控制电子流动，实现信息读取。相比之下，3D NAND的控制栅呈...
从表1 中我们可以看到 3D NAND 的位密度高于 2D NAND,64 层的 3D NAND 更是超过了 16nm 的 2D NAND 的三倍! 目前3D NAND 的产量还不及 2D NAND,因此每个晶圆上优良位的数量还未达到 3D 位密度优势应有的水平。 位成本 为了计算位成本,我们需要晶圆成本、位密度和产量。如上所述,晶圆成本严重依赖于生产...
对比2D NAND,3D NAND闪存有什么优势? 【天极网DIY硬件频道】随着近段时间以来,固态硬盘、内存等存储设备的大幅度一致性涨价,影响着存储设备涨价的背后关键性元件闪存颗粒,什么是闪存颗粒,闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单位,而...
3D NAND与2D NAND相比,优势非常明显。在成本,容量,数据传输速率,能耗,耐久性,封装等方面,均完全碾压2D NAND。特别是3D NAND低成本的特点,会对SSD固态硬盘的普及带来更加积极的推进作用。 古人言,暇瑜错陈! 3D NAND有这么多的优势,但也带来了不小的挑战。与2D NAND相比,3D NAND的program时间有所增加。如下图...
左边二个是 Planar NAND,只是存储单元结构不同,由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存,即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF),最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数(Layer ),把存储单元像盖大楼一样越做越...