与3D NAND相似，V-NAND同样支持从SLC到MLC、TLC和QLC的转换。在3D NAND和V-NAND技术中，数据的读取都是通过施加电压来感应并确定存储在单元中的电荷差异，从而识别出代表数据的二进制位（0和1）。这两种技术都依赖于这种电荷感应的原理来进行工作。值得一提的是，三星声称其V-NAND技术具有更高效的写入过程，并且...
Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 我们再进一步解剖3D-NAND的结构,如图: Silicon wafer base layer:这是3D NAND结构的基础,即硅片。 Silicon bit cell gates:是控制电子流动的门结构,它...
Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 氮化硅(Nitride):3D NAND使用电荷陷阱存储电子。电子被存储在氮化硅中,氮化硅是包裹在多晶硅沟道周围,代替了2D NAND中的浮动栅。这种电荷陷阱层使NAND具有非易失性的数据存储能力。 我们再进一...
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来，解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。相同颗粒数的96层堆叠闪存比32层堆叠闪存的容量大很多，所需要的技术难度也更大。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术的平面闪存，3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术...
3D NAND:由于其高存储密度,3D NAND在单位存储容量的成本上相对较低。这使得3D NAND成为制造SSD和其他存储设备的首选。2D NAND:随着制程技术的进步,2D NAND的成本有所下降,但在高容量存储设备中,其成本效益通常低于3D NAND。读写性能: 3D NAND:3D NAND通常提供更快的读写速度,尤其是在高容量设备中。这是因为...
而3D NAND正是为了克服 2D NAND 的容量限制而开发的。3D NAND 架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更高的密度。与存储单元水平堆叠的2D NAND 不同,3D NAND 使用多层垂直堆叠,以实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低的成本。由于将如此多的垂直单元封装成较小的宽度和长度尺寸...
与存储单元水平堆叠的2D NAND 不同，3D NAND 使用多层垂直堆叠，以实现更高的密度、更低的功耗、更好...
2D NAND结构中，控制栅位于顶部，用于控制浮动栅的电子流动。浮动栅储存电子来表示1和0，单晶硅通道连接源极和漏极，根据浮动栅的电荷状态控制电子流动，实现信息读取。相比之下，3D NAND的控制栅呈环绕状，构建在存储柱的立体结构上。多晶硅材料构成的Poly-Si Channel垂直于硅片，替代了2D NAND中的单晶硅...
但是,如果我们模拟构建一家新建 2D NAND 晶圆厂的成本与一家新建 3D NAND 晶圆厂的成本,我们则会看到完全不同的景象,3D 的资金成本甚至比 2D 的资金成本还稍微低一点!如图 5 所示。 图5:新建晶圆厂成本 晶圆成本 与资金成本类似,我们相信在晶圆成本上也有些模糊不清的地方。图 6 比较了三星的 Line 12 晶圆...
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