Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 我们再进一步解剖3D-NAND的结构,如图: Silicon wafer base layer:这是3D NAND结构的基础,即硅片。 Silicon bit cell gates:是控制电子流动的门结构,它...
接下来，我们将深入探讨2D NAND与3D NAND这两种NAND闪存技术的异同。2D NAND，作为较早出现的闪存技术，已经历经多年的发展与演变。而3D NAND，则是近年来新兴的、经过诸多技术优化和改进的闪存类型。这两种技术之间，存在着多方面的显著差异。接下来，让我们更详细地了解一下 2D NAND闪存技术的特点。在NAND闪存技术...
Poly-Si Channel:与2D NAND的单晶硅通道不同,3D NAND中的通道是垂直构建的,并由多晶硅材料构成,形成一个立体的存储柱。 氮化硅(Nitride):3D NAND使用电荷陷阱存储电子。电子被存储在氮化硅中,氮化硅是包裹在多晶硅沟道周围,代替了2D NAND中的浮动栅。这种电荷陷阱层使NAND具有非易失性的数据存储能力。 我们再进一...
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来，解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。相同颗粒数的96层堆叠闪存比32层堆叠闪存的容量大很多，所需要的技术难度也更大。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术的平面闪存，3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术...
2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术(NVM Non-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种。那么有了2D NAND,为什么要升级到3D呢? 定义 非易失性存储技术是一种能够在断电后保持存储数据的存储器技术,与易失性存储器不同,非易失性存储器不需要持续的电源供应来保持存储的数据,包括ROM(Read-Only Memory)与Fl...
3D NAND和2D NAND是两种不同的NAND闪存技术,它们在性能、结构和成本方面有所不同。以下是3D NAND与2D NAND的性能对比: 存储密度:3D NAND:由于其垂直堆叠的结构,3D NAND可以在同样的硅片面积上提供更高的存储密度。这意味着在相同大小的存储设备中,3D NAND可以存储更多的数据。2D NAND:传统的2D NAND采用平面结构...
此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。 图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper ...
图8:2D NAND 和 3D NAND 的位成本对比 从这张图中我们可以看到,相对于 2D-16nm,3D-32 层工艺降低了 30% 的位成本,并有望在 3D-64 层工艺上再进一步降低 30%。我认为这种行业领先的成本降低是源于旧晶圆厂有一些折旧的资产、CMOS-Under 所带来的高位密度和高产量。
与存储单元水平堆叠的2D NAND 不同，3D NAND 使用多层垂直堆叠，以实现更高的密度、更低的功耗、更好...
2D NAND结构中，控制栅位于顶部，用于控制浮动栅的电子流动。浮动栅储存电子来表示1和0，单晶硅通道连接源极和漏极，根据浮动栅的电荷状态控制电子流动，实现信息读取。相比之下，3D NAND的控制栅呈环绕状，构建在存储柱的立体结构上。多晶硅材料构成的Poly-Si Channel垂直于硅片，替代了2D NAND中的单晶硅...