快速读写速度：优化后的架构和较低的干扰使得3D NAND相比2D NAND具有更快的原始读/写速度。同时，功耗也得到了有效降低。3D NAND的主要不足之处在于其制造成本相对较高这主要是由于精确蚀刻、层堆叠以及不同层对齐等复杂工艺所导致。尽管随着技术的进步，这一成本可能会逐渐降低，但与2D NAND相比，3D NAND在价格上...
3D NAND 架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更高的密度。与存储单元水平堆叠的2D NAND 不同,3D NAND 使用多层垂直堆叠,以实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低的成本。由于将如此多的垂直单元封装成较小的宽度和长度尺寸,因此 3D NAND...
3D NAND和2D NAND是两种不同的NAND闪存技术,它们在性能、结构和成本方面有所不同。以下是3D NAND与2D NAND的性能对比: 存储密度:3D NAND:由于其垂直堆叠的结构,3D NAND可以在同样的硅片面积上提供更高的存储密度。这意味着在相同大小的存储设备中,3D NAND可以存储更多的数据。2D NAND:传统的2D NAND采用平面结构...
2D NAND就是平面上的2个维度，从2013年8月以来，3D NAND存储器就已经成功地投入了市场。3D就是立方体的3个维度。以前，把NAND闪存颗粒，直接平铺在SSD固态硬盘电路板上，叫2D技术。后来，厂家为节约成本，节省空间，像建高楼一样，一层又一层地平铺上去，就成为了3D堆叠闪存技术。3D NAND将思路从提高制造工艺转移...
3D NAND与2D NAND在结构上有显著差异，前者在存储密度、数据读写速度、功耗和使用寿命方面具备显著优势。2D NAND结构中，控制栅位于顶部，用于控制浮动栅的电子流动。浮动栅储存电子来表示1和0，单晶硅通道连接源极和漏极，根据浮动栅的电荷状态控制电子流动，实现信息读取。相比之下，3D NAND的控制栅呈...
3D NAND是为了克服 2D NAND 的容量限制而开发的。3D NAND 架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更...
2D NAND和3D NAND闪存颗粒有什么区别 在上文中,我们介绍了根据闪存颗粒内部电子数的不同,会分为SLC/MLC/TLC,而随着晶圆物理极限的不断迫近,固态硬盘上
硬声是电子发烧友旗下广受电子工程师喜爱的短视频平台,推荐 【3DNAND和2DNAND到底有何区别】3D闪存已进入200层时代,看看区别到底在哪?视频给您,在硬声你可以学习知识技能、随时展示自己的作品和产品、分享自己的经验或方案、与同行畅快交流,无论你是学生、工程师、原
与2DNAND相比有什么优势? 3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (...