热电子注入就是在源漏之间加上一个电压,由于压降原理,在漏端附近电场强度达到最大值(因为源极一般接地),因此电子在电场作用中,在漏极附近能量最大,变成热电子,当其能量大于Si/SiO_{2}界面势垒,电子就能越过势垒(经典力学),进入到浮栅,热电子在电场作用下,与晶格发生碰撞会形成二次电子,二次电子也能注入到浮栅...
这里逻辑门电路,我的理解方法是从基本gate入手,OR Gate 是并联概念,AND gate 是串联概念,这刚好和其布尔逻辑对应,NOR是OR的非集,NAND 是AND的非集,在电路中他们的不同体现在输出端不同,OR gate还有AND gate的输出端在漏极(理解为后面),NOR gate以及NAND gate的输出端在源极(理解为前面)。再回想一下NOT ga...
为了提高存储密度，NAND技术从2D发展到了3D。3D NAND通过垂直堆叠存储单元，大大提高了存储容量。例如，从16层到128层的3D NAND，实现了更高的存储密度和更大的存储容量。总结，NOR和NAND在结构、读取和写入方式、颗粒类型以及存储密度方面有显著差异，这些差异影响了它们在不同应用中的性能和适用范围。随...
SLC、MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 3DTiles CZML 区别 闪存 数据 html ...
...原理 3D Xpoint抛弃了在NAND芯片的核心---晶体管。NAND的工作原理是运动的电子来回在称为其“浮动栅”的晶体管来回跑到,来表示二进制代码的零与一。...3D Xpoint速度比NAND快1000倍,但是远小于DRAM,所以不能用它来完全取代RAM,固态硬盘SSD甚至更慢的硬盘,在未来的一段时间仍将比3D Xpoint显著便宜,所以是...
...原理 3D Xpoint抛弃了在NAND芯片的核心---晶体管。NAND的工作原理是运动的电子来回在称为其“浮动栅”的晶体管来回跑到,来表示二进制代码的零与一。...3D Xpoint速度比NAND快1000倍,但是远小于DRAM,所以不能用它来完全取代RAM,固态硬盘SSD甚至更慢的硬盘,在未来的一段时间仍将比3D Xpoint显著便宜,所以是...
有些是直接比较每个芯片与NAND闪存的成本(与3D NAND相比,3D XPoint可能比NAND需要更少的晶圆厂步骤)。其他人正在重复一系列术语和元素名称,而不用花时间来实际解释它的工作原理,而且太多的人甚至不能正确地拼读。我的计划是解决尽可能多的混乱,我希望用这篇文章让你了解XPoint及其底层技术是如何工作的。虽然这里没...
大家可以在脑子里面想象下,如果拿 OR 操作来套用的话右下角结果不对,如果是 NAND 操作的话左上角结果不对,所以得两个结合一下,电路图如下。 分别通过或门和与非门之后再做与门,出来的结果就是当前和的结果,这个其实就是 XOR 异或门,简化表示就是: ...
可能和Lidar在车身上不同的安装位置和角度相关会有一些具体差异,如果是Waymo那种车顶360度大型旋转Lidar布局,则可以直接获取最终3D结果。对,直接!但对于Tesla Vision纯视觉解决方案来说,通过成像平面的感光原理,只能是拿到主车四周的部分信息(小编:缺失了关键的深度信息),所以必须有这么一个看起来类似“悖论”的数据...
但是这里的前提跟前面一样,芯片的峰值算力大于或等于4800TOPS*1bit(相当于INT8算力600TOPS),I/O双向带宽大于或等于600GB/s才会受到限制。 BR100是壁仞科技于2022年8月9日发布的旗下首款通用GPU芯片,基于台积电7nm工艺,CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)的2.5D封装,其INT8算力达2048 TOPS,BF16算力达1024 ...