热电子注入就是在源漏之间加上一个电压,由于压降原理,在漏端附近电场强度达到最大值(因为源极一般接地),因此电子在电场作用中,在漏极附近能量最大,变成热电子,当其能量大于 Si/SiO_{2} 界面势垒,电子就能越过势垒(经典力学),进入到浮栅,热电子在电场作用下,与晶格发生碰撞会形成二次电子,二次电子也能注入到...
热电子注入就是在源漏之间加上一个电压,由于压降原理,在漏端附近电场强度达到最大值(因为源极一般接地),因此电子在电场作用中,在漏极附近能量最大,变成热电子,当其能量大于Si/SiO_{2}界面势垒,电子就能越过势垒(经典力学),进入到浮栅,热电子在电场作用下,与晶格发生碰撞会形成二次电子,二次电子也能注入到浮栅...
为了提高存储密度，NAND技术从2D发展到了3D。3D NAND通过垂直堆叠存储单元，大大提高了存储容量。例如，从16层到128层的3D NAND，实现了更高的存储密度和更大的存储容量。总结，NOR和NAND在结构、读取和写入方式、颗粒类型以及存储密度方面有显著差异，这些差异影响了它们在不同应用中的性能和适用范围。随...
有些是直接比较每个芯片与NAND闪存的成本(与3D NAND相比,3D XPoint可能比NAND需要更少的晶圆厂步骤)。其他人正在重复一系列术语和元素名称,而不用花时间来实际解释它的工作原理,而且太多的人甚至不能正确地发音。我的计划是解决尽可能多的混乱,我希望用这篇文章,我希望你了解XPoint及其底层技术是如何工作的。虽然这...
有些是直接比较每个芯片与NAND闪存的成本(与3D NAND相比,3D XPoint可能比NAND需要更少的晶圆厂步骤)。其他人正在重复一系列术语和元素名称,而不用花时间来实际解释它的工作原理,而且太多的人甚至不能正确地拼读。我的计划是解决尽可能多的混乱,我希望用这篇文章让你了解XPoint及其底层技术是如何工作的。虽然这里没...
SLC、MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 3DTiles CZML 区别 闪存 数据 html ...
英特尔在Pentium 加入FXCH 指令用来交换置顶寄存器,原本仅内建一组浮点运算单元,流水线不能同时执行两个浮点运算指令的Pentium,简单的浮点运算指令可和FXCH 一同塞进两条指令流水线,但实际上也只有执行一个有效浮点运算,况且后头接连着的整数指令,都会被延误最少一个时钟周期。
大家可以在脑子里面想象下,如果拿 OR 操作来套用的话右下角结果不对,如果是 NAND 操作的话左上角结果不对,所以得两个结合一下,电路图如下。 分别通过或门和与非门之后再做与门,出来的结果就是当前和的结果,这个其实就是 XOR 异或门,简化表示就是: ...
然而,对于学术研究而言,诸如VPR这种在学术中广泛使用的设计工具需要进行架构层面的调整,以适应这种新的FPGA结构。这对于学术发展不一定是坏处。 6 小结 本文主要介绍了Xilinx的SSI技术在制造3D FPGA上的主要原理及其主要优缺点。下篇博文将介绍业界另一个主流方案,即英特尔的EMIB技术。
@Tristan是一个活跃在Twitter.com和github.com上的技术工程师(小编:Tristan现供职于Facebook),其个人公开的兴趣是机器学习和逆向工程——这就不难理解Tristan和长期活跃在互联网上一批汽车科技黑客,对于破解Tesla车机系统尤其是自动驾驶系统的热情了。小编要是有这个实力也会这么干,毕竟这是在公众可以接触到的AI完整系统...