在第三届GMIF2024创新峰会上，西部数据闪存先进技术副总裁李艳博士发表了关于《3D QLC NAND Flash拓展及其应用》的主题演讲，全面阐述了当前3D NAND技术的发展现状、技术挑战及其在AI时代的应用前景。作为全球存储技术的领导者，西部数据不仅在硬盘市场占有重要地位，同时也在Flash存储领域具有深厚积累，特别是通过3D QLC ...
3DNAND为NAND技术的主流发展趋势。在早期，NAND闪存主要以2D平面形式存在，其扩展容量的原理主要通过在一个平面上将多个存储单元进行拼接，存储单元的数量越多，存储容量就越大，随着存储芯片厂商将2DNAND的单元尺寸从120nm微缩至14nm时，2D结构在容量扩展方面的局限性开始显现，其可靠性会随着制程微缩进一步下降。为了克...
平面(2D)NAND闪存中开始引入的多级存储一直以2位/单元(MLC)方法为主,而3位/单元(TLC)方法仍然处于边缘地位。除了3D NAND闪存的第一个原型是MLC之外,TLC从一开始就成为主流。与平面NAND闪存相比,存储密度提高了1.5倍。 3D NAND闪存进一步发展了多级存储技术,并将4bit/...
一个代表性的例子是“多值”。平面（2D）NAND闪存中开始引入的多级存储一直以2位/单元（MLC）方法为主，而3位/单元（TLC）方法仍然处于边缘地位。除了3D NAND闪存的第一个原型是MLC之外，TLC从一开始就成为主流。与平面NAND闪存相比，存储密度提高了1.5倍。3D NAND闪存进一步发展了多级存储技术，并将4bit/cell（...
3D NAND 闪存进一步发展了多级存储技术,并将 4bit/cell(QLC)方法投入实际应用。这相当于平面 NAND 闪存 (MLC) 存储密度的两倍,是现有 3D NAND 闪存 (TLC) 存储密度的 1.33 倍。 字线层数(横轴)与存储密度(纵轴)之间的关系。TLC(3 位/单元)方法和 QLC(4 位/单元)方法之间的存储密度存在明显差异。
如果沉积和蚀刻等工具没有重大创新，高级层 3D NAND 的发展将面临成本效率方面的困难，这可能会拖慢路线图的进度。与内存供应商共同优化高级沉积和蚀刻技术是有效应对上述挑战的方法之一。低温技术和高级等离子化学等创新解决方案可以增强高纵横比蚀刻，并最大限度地减少扭曲、粗糙和变形等问题，从而为下一代节点提供更多...
【环球网科技综合报道】11月26日消息，三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了重大技术突破，成功将光刻胶（PR）的使用量减半，这一创新预计将显著提升生产效率并大幅降低成本。据韩媒The Elec报道，三星电子通过精确控制涂布机的转速（rpm）和优化PR涂层后的蚀刻工艺，将每层涂层所需的光刻胶用量从7-8cc降低至4-4....
近日,铠侠CTO宫岛英史在近日举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标2030~2031年推出1000层的3D NAND闪存。而目前铠侠与合作伙伴西部数据开发的最先进产品是218层堆叠的BICS8 3D NAND。 无独有偶,早在去(2023)年,三星存储业务高管于夏季会议上透露,预计到2030年,V-NAND技术可以实现超过1000层...
未来,3D NAND技术将继续进行技术创新和优化,以提高存储密度、读写速度、功耗降低等方面的性能。例如三星存储已经公布了到2030年实现堆叠多达1000层的愿景。 可以看到,随着新的材料和结构的研究,将有望突破现有的技术瓶颈,实现更多的堆叠层数,推动3D NAND技术的进一步发展。
芯片行业正在努力在未来几年内将3D NAND闪存的堆栈高度提高四倍,从 200 层增加到 800 层或更多,利用额外的容量将有助于满足对各种类型内存的无休止需求。 这些额外的层将带来新的可靠性问题和一系列增量可靠性挑战,但近十年来,NAND 闪存行业一直在稳步增加堆栈高度。2015 年,东芝宣布推出首个使用硅通孔的 16 芯...