《3D NAND的台阶蚀刻(刻蚀)》 7,沉积无定形硅硬掩模,图片为侧视图 8,将硬掩模开孔 9,slit etch:将SiO2与SiNx的堆叠层刻蚀为一个个沟槽, 10,将堆叠层中的SiNx刻蚀掉,填充TiN,钨(W)等,即word line fill工艺。 11,刻蚀掉多余的钨,之后需要对沟道通孔进行填充,因此需依次沉积阻挡氧化层,Charge Trap SiN (...
选用特定晶向的硅片作为衬底 3D NAND的制造始于选用具有特定晶向(如<100>或<110>)的高质量单晶硅片作为衬底。选择合适的硅片晶向对于后续的工艺步骤至关重要,因为它直接影响到晶体管的性能和可靠性。 采用CVD交替沉积多层薄膜 接下来,利用化学气相沉积(CVD)技术,在硅衬底上交替沉积多层薄...
虽然3D NAND在存储单元级别的编程擦除速度落后于新型存储器,但得益于3D NAND具有成熟的制造工艺和超高的存储密度,可以将大量存储单元通过阵列的方式组织在一起,通过并行的读取和编程操作缓解单个存储单元在读取速度上与新型存储器件的差距。 3D NAND工艺流程 后续会有介绍3D NAND工艺流程的专题文章 3D NAND电路原理 3D...
接下来,我们将深入探讨3D NAND的制造流程。 1. 半导体晶圆准备:3D NAND的制造始于硅晶圆的准备。这些晶圆经过严格的质量控制,确保无缺陷。然后,晶圆被清洗并涂上一层薄薄的硅 dioxide,作为后续步骤的基础。 2. 制作基底层:首先,会在硅 dioxide层上制作第一层的NAND单元,这通常包括通道孔(Trench)的蚀刻和填充。
上图所示为 3D NAND 闪存器件制造工艺流程示意图。在完成 CMOS的源漏之后,开始重覆沉淀多层氧化硅/氮化硅,然后进行光刻和沟道超深孔刻蚀(深宽比大于30:1),沉淀高质量的多晶硅薄膜和沟道深孔填充并形成栅衬垫阵列(Gate Pad)。接下来进行光刻和字线刻蚀 一 离子注入形成 CSL 线一 湿法去除氮化硅 一 沉淀栅介质和...
3D NAND作为芯片制造工艺的高端技术，代表了全球顶尖制造商如三星、海力士、英特尔和长江存储的先进水平。接下来，我们来详细解析3D NAND的核心制造流程:首先，从12英寸定向硅片上开始基底准备。接着，通过交替沉积SiO2和SiNx薄膜，每层厚度约几十纳米，根据产品需求，层数可以达到64层、128层甚至400层。无定...
在3D NAND闪存的制作工艺流程中，第一步是手绘动画图形结构。设计师们根据预先创意的图形概念，手绘出适合的图形结构，这是三维动画制作最基础的部分。第二步是3D角色模型的制作。根据概念设计以及融合客户、导演的综合意见，在手绘动画图形结构的基础上，设计师们在三维软件中进行模型的制作，制作出三维动画...
3D NAND存储器件是一种非常复杂的技术,涉及多个工艺步骤。以下是一种典型的3D NAND存储器件金属栅极制备方法与流程的简要介绍: 1.晶圆准备:使用硅片作为基底材料,进行多道清洗和化学处理,确保表面干净,并形成适合金属栅极生长的基底。 2.旋涂:将金属栅极材料溶液(例如钨、钛等)通过旋涂工艺涂覆在晶圆表面,形成一个...
图3 DC-SF NAND 工艺流程 2.2东芝P-BiCS架构 东芝于2009年提出P-BiCS结构,如图4所示,器件结构是U型环栅结构,前栅工艺,ONO电荷俘获,OPOP(氧化硅/多晶硅)堆叠技术。工艺难点是U型沟槽的制作,以及随着堆叠层数的增加,刻蚀工艺难度进一步加大;因此东芝只在64层架构以下使用OPOP堆叠,而64层及以上产品堆叠采用ONON(氧...
一、3D NAND刻蚀的工艺流程 3D NAND存储单元是垂直堆叠的,因此需要一种特殊的方法来连接每一层存储单元的控制栅。简单的水平连接方式无法使用,因此需要通过刻蚀出阶梯型状露出每一层结构,使后续工艺制备的接触孔结构分别将不同的控制栅层连接出去,以便实现...