9、slit etch:将SiO2与SiNx的堆叠层刻蚀为一个个沟槽。 10、将堆叠层中的SiNx刻蚀掉,填充TiN,钨(W)等,即word line fill工艺。 11、刻蚀掉多余的钨,之后需要对沟道通孔进行填充,因此需依次沉积阻挡氧化层,Charge Trap SiN (电荷陷阱氮化硅),Tunnel Oxide (隧道氧化物),Poly...
选用特定晶向的硅片作为衬底 3D NAND的制造始于选用具有特定晶向(如<100>或<110>)的高质量单晶硅片作为衬底。选择合适的硅片晶向对于后续的工艺步骤至关重要,因为它直接影响到晶体管的性能和可靠性。 采用CVD交替沉积多层薄膜 接下来,利用化学气相沉积(CVD)技术,在硅衬底上交替沉积多层薄...
接下来进行台阶刻蚀，详细过程可参考：《3D NAND台阶蚀刻技术》。再次沉积无定形硅硬掩模，随后开孔，进入关键步骤：slit etch。通过一系列精密工艺，包括刻蚀SiNx、填充TiN和W（钨），形成word line fill工艺。继续刻蚀多余材料，进行沟道通孔填充，涉及阻挡氧化层、Charge Trap SiN、Tunnel Oxide和Poly S...
在3D NAND闪存的制作工艺流程中，第一步是手绘动画图形结构。设计师们根据预先创意的图形概念，手绘出适合的图形结构，这是三维动画制作最基础的部分。第二步是3D角色模型的制作。根据概念设计以及融合客户、导演的综合意见，在手绘动画图形结构的基础上，设计师们在三维软件中进行模型的制作，制作出三维动画...
上图所示为 3D NAND 闪存器件制造工艺流程示意图。在完成 CMOS的源漏之后,开始重覆沉淀多层氧化硅/氮化硅,然后进行光刻和沟道超深孔刻蚀(深宽比大于30:1),沉淀高质量的多晶硅薄膜和沟道深孔填充并形成栅衬垫阵列(Gate Pad)。接下来进行光刻和字线刻蚀 一 离子注入形成 CSL 线一 湿法去除氮化硅 一 沉淀栅介质和...
一、3D NAND刻蚀的工艺流程 3D NAND存储单元是垂直堆叠的,因此需要一种特殊的方法来连接每一层存储单元的控制栅。简单的水平连接方式无法使用,因此需要通过刻蚀出阶梯型状露出每一层结构,使后续工艺制备的接触孔结构分别将不同的控制栅层连接出去,以便实现...
图1 Tech Insights NAND Flash Memory Technology 2.1镁光/英特尔的FG(多晶硅浮栅)架构 镁光/英特尔主要是采用OPOP(氧化硅/多晶硅)堆叠技术,前栅工艺,存储单元是浮栅结构。图2是DC-SF(双控制栅及环绕浮栅)架构示意图,图3是其加工工艺流程,(a)存储区OPOP孔干法刻蚀成型,(b)回刻氧化硅,(c)沉积绝缘层IPD,(d)...
通孔蚀刻：该工艺采用CCP-RIE进行蚀刻，蚀刻气体主要为含氟气体。沟槽过孔刻蚀需要考虑哪些方面？通孔直径均匀性：所有通孔直径必须一致，防止存储效率不一致。侧壁光滑度：过孔侧壁的粗糙度会影响后续材料的填充质量。蚀刻深度控制：要求每个通孔达到相同的深度，以保证每层存储单元均匀可靠。掩模侵蚀：硬掩模在蚀刻过程...
栅极堆叠的3D NAND架构可以使用两种方法制造:第一栅极和最后栅极,第一栅极和第二栅极方法制造的最具代表性的结构分别是BiCS和TCAT。图14a显示了栅极优先工艺,其中首先堆叠WLs,随后蚀刻沟道孔。沟道孔填充有电荷捕获电介质和多晶硅沟道层。图14b显示了最后栅极(栅极替换)工艺,其中沉积氧化物/氮化物多层,然后进行空穴蚀刻...