3D NAND的出现,正是为了突破2D NAND在容量上所受到的限制3D NAND的架构能在不破坏数据完整性的情况下,可以比2D NAND扩展到更高的密度,从而使得可存储容量有效增加。 3D NAND与2D NAND的最大区别在于,2D NAND是平面架构,3D NAND则是立体的。3D NAND使用多层垂直堆叠,将传统平面结构的NAND闪存堆叠起来,以节省空间...
3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。2D CTF 存储单元是 3D 化变成 3D CTF 存储单元 ，通过工艺技术...
3D NAND是一种新兴的闪存类型,通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或平面NAND闪存带来的限制。从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦,所谓3D闪存就是2D闪存的堆叠。Intel曾经以盖楼为例介绍了NAND,普通的NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子变多了,理论上来讲可以无限堆叠,但是由于技术和材料限制,目...
什么是3D NAND? 3D NAND也称为V-NAND,旨在克服2D NAND在容量方面的限制。3D NAND架构可在不牺牲数据完整性的情况下扩展到更高的密度,从而实现更多的存储容量。 与2D NAND不同,3D NAND使用多层垂直堆叠,以实现更高的密度,更低的功耗,更好的耐用性,更快的读/写速度以及更低的每千兆字节成本。
美光 232 层 NAND 技术到底意味着什么? 1939 -- 8:50 App 闪存的工作原理是什么? 4987 -- 1:18 App 英特尔晶圆厂的天车系统(视频来源:PCMag) 4.2万 9 1:03 App 紫光集团拟出售芯片公司 2892 2 1:47 App 博通采用台积电技术完成业界首个3.5D面对面先进封装芯片 2875 4 1:50 App 英特尔光芯片的...
3D NAND是一种非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。什么是非易...
3D Nand Flash仍然可以采用与平面存储器相同的SLC、MLC和TLC技术，以进一步提高可用的存储密度。由于额外的存储密度，3D NAND Flash可以使用这些稍旧的处理技术和更大的单元尺寸，与经典的平面设计相比仍然具有优势。这些过程意味着功耗和错误率都会降低。3D NAND闪存的优缺点是什么？3D NAND闪存的主要优点是降低了每...
3D NAND闪存颗粒SLC、MLC、TLC、QLC的区别是什么？闪存是一种永久性的半导体可擦写存储器，U盘、SD存储卡、SSD 等都属于闪存。3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层或更高层次，3D TLC/MLC颗粒的不同产品，各大厂商的技术不尽相同。根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC...