在主要的NAND厂商中,三星最早量产了3D NAND,其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间,Intel、美光去年才推出3D NAND闪存,Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD,不过主要是面向企业级市场的。 这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同,堆栈的层数也不一样,而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了...
由于平面型NAND技术逐渐接近物理极限,各大存储器厂商在2014年前后纷纷转向三维堆叠型NAND即3D NAND技术。图5展示了从2D NAND向3D NAND结构转变的过程,在有限的芯片面积下通过三维堆叠可以显著提升NAND闪存的存储密度。如图6所示,自2013年三星公司首次量产24层结构的3D NAND产品以来,其堆叠层数一直在稳步上升,经过十余年...
理论上来讲NAND可以无限堆叠,但是由于技术和材料限制,目前大多数3D NAND是64层的。 3D NAND闪存的用处 3D NAND闪存带来的最直接的价值,就是能够提供容量的更大的闪存给用户使用,近几年来许多大厂纷纷投入3D NAND的研发,但目前只有Samsung, Toshiba/SanDisk/WD, SK Hynix, Micron/Intel四组公司能够量产3D NAND。由...
闪存又包括NOR Flash和NAND Flash二种，不过NOR Flash的容量较小一般为1Mb-2Gb，而NAND Flash能提供极高的单元密度，可达到高存储密度，适用于大量数据的存储，因此也是主流的闪存技术。从2018年开始，全球大多数的智能手机都已开始使用3D NAND存储芯片，不仅是智能手机，3D NAND芯片在数据中心、云、服务器、SSD、PC...
3D NAND闪存进一步发展了多级存储技术,并将4bit/cell(QLC)方法投入实际应用。这相当于平面 NAND 闪存 (MLC) 存储密度的两倍,是现有 3D NAND 闪存 (TLC) 存储密度的 1.33 倍。 字线层数(横轴)与存储密度(纵轴)之间的关系。TLC(3位/单元)方法和QLC(4位/单元)方法...
可以看到，20年前，各家对NAND的下一步提出了不同看法，最终，NAND 闪存行业放弃了传统的扩展方式。首批商用 3D NAND 产品于 2013 年推出，堆栈数量为 24 个字线层 (128 Gb)。根据供应商的不同，结构存在差异，以不同的名称为人所知，例如 V-NAND 和 BICS，3D NAND成为了第一个也是唯一一个将真正的 3D ...
增加3D NAND 器件中的有源层数量是当今提高闪存记录密度的最佳方法,因此所有 3D NAND 制造商都努力每 1.5 到 2 年就推出新的工艺节点来实现这一目标。每个新节点都会带来一些挑战,因为 3D NAND 制造商必须增加层数并横向和纵向缩小 NAND 单元。这个过程要求制造商在每个新节点都采用新材料,这是一项重大的研发挑战...
3D V-NAND闪存 邮件 2024年01月17日 3D V-NAND闪存 (3D垂直NAND闪存) 3D垂直NAND闪存是在三维矩阵中垂直构建一层存储单元的NAND闪存。 3D V-NAND闪存旨在突破2D NAND闪存工艺限制。 三星半导体采用前沿10nm工艺,缩小相邻存储单元之间的间隙。但,这一方式增加了电子泄露干扰。所以,三星半导体开发了一种三维垂直堆叠...