经过十余年的发展,预计在2025年2月的ISSCC会议上,三星将发布堆叠层数超过400层,每单元存储三位数据(Triple-Level Cell, TLC)的3D NAND芯片,其存储密度超过28Gb/mm2,随着工艺技术的持续迭代,3D NAND的存储密度仍在不断提高。
事实上3D NAND并不是简单的把Planar NAND一层层堆起来,虽然这样做的确能够提升单位面积的容量,但是这样所需要的成本相当高,比直接多造堆叠层数的Planar NAND的成本还要高上不少。如果仅仅是这样的话那么3D NAND就没有任何意义了,因为现在完全有技术进行3D封装,直接把多片NAND die以堆叠的方式进行封装,无论成本、...
全球主要的3D NAND闪存量产厂家包括: 三星电子:三星是全球首家量产3D NAND的公司,他们的V-NAND技术已经进入了第六代。 英特尔和美光:这两家公司曾经在IM Flash Technologies合作开发和生产3D NAND。 东芝和西部数据:这两家公司在日本的Yokkaichi联合开发和生产3D NAND。 SK海力士:是一家韩国的半导体公司,是全球最大的...
因此，我们也可以看到，目前主流的存储芯片制造商均在竞相通过增加3D NAND垂直门数，以此来提高存储密度。他们已经规划了下一代3D NAND产品，包括232层/238层，甚至更大到4xx层甚至8xx层。虽说都在盖楼，但是各家盖楼所采用的架构却有所不同。3D闪存的概念图（图源：铠侠）架构一：V-NAND，代表厂商：三星 2013年...
但在 3D NAND 结构中，这种存储单元充分发挥了潜力，这要归功于环栅 (GAA) 垂直通道实现方法。在此 GAA 配置中，栅极堆叠完全环绕通道。这种圆柱形几何形状在隧道氧化物中产生增强的场效应。这导致更大的载流子注入到捕获层，增强了编程/擦除窗口。GAA 制造通常从生长氧化物/字线层堆栈开始。接下来，使用先进的...
Silicon wafer base layer:这是3D NAND结构的基础,即硅片。 Silicon bit cell gates:是控制电子流动的门结构,它们决定了是否允许电子进入或离开Silicon channel,从而实现数据的存储和读取。 Silicon dioxide gate dielectric:位于控制栅和Silicon channel之间的绝缘层,其功能是保持...
最终，3D NAND技术成为了新的发展方向，传统NAND Flash 采用平面设计，而3D NAND 是以则由原本平铺的存储单元所堆叠而成，由传统单层存储提升至高达上百层的堆叠，让其存储容量相较于传统2D NAND Flash有了大幅提升。直到今天，3D NAND也在持续推动着整个存储市场的发展，但行业内的对NAND未来发展方向的争议却似乎...
关于3D NAND Flash未来的发展,提升密度和增加层数是产业界聚焦的两个方向。而在ISSCC 2023 会议上,韩国存储巨头SK海力士提交了一篇论文,展示了他们如何开发出 300 层以上的 3D NAND 技术,以创纪录的 194GBps 速度摄取数据。在这篇又35名SK海力士工程师写就的论文里,他们写道:”“NAND 闪存领域最重要的主题是持续...
提高3D NAND闪存存储密度的四项基本技术 迄今为止,3D NAND闪存的存储密度主要通过采用四种基本技术来提高。分别是“高层化”“多值化”、“布局变更(存储单元阵列和CMOS外围电路的单片层叠)”、“微细化(缩短横向尺寸)”等。 这四种方法中,进步最大的恐怕就是“高层化”...