碳化硅浅刻蚀是一种简单的微纳加工技术,它能够显著改善硅晶片表面的光滑度和精密度。通过使用碳化硅浅刻蚀技术,可以使硅晶片表面变得更加光滑,从而在其他加工过程中获得更高的精度。由于浅刻蚀深度很浅,大约在几微米以内,因此不适用于制造深坑或槽。 在浅刻蚀技术中,加工的主要目的是改善硅晶片表面...
1.一种具有狭缝结构的浅刻蚀光栅半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器包括在外延层上刻蚀而成的脊波导和高阶侧向光栅;所述高阶侧向光栅包括两部分,且对称分布于所述脊波导的两侧; 2.根据权利要求1所述的具有狭缝结构的浅刻蚀光栅半导体激光器,其特征在于,所述内侧短光栅与所述脊波导连接。 3.根据权利要求1...
刻蚀工艺闫锐,李亮,默江辉,崔玉兴,付兴昌(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051)摘要:介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的...
摘要 一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器,包括由下至上依次设置的GaAs基衬底、下层DBR、有源区、氧化限制层、上层DBR和P型金属欧姆接触层;有源区、氧化限制层、上层DBR和P型金欧姆接触层共刻出圆柱形垂直腔面发射激光器谐振腔;垂直腔面发射激光器的顶部镀有圆环形P型金属电极,垂直腔面发射激光器谐振腔的GaAs...
崔玉兴,付兴昌(中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄 050051)摘要:介绍了用于 SiC 器件浅槽制作的 ICP-RIE 刻蚀原理,选用 Cl 2 /Ar 混合气体对 SiC 材料进行浅槽刻蚀,研究了 ICP 功率和 RIE 功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化...
CMOS结构涉及的刻蚀工艺主要为浅层沟道隔离刻蚀、栅极刻蚀、补偿侧墙刻蚀、钨接触孔刻蚀、铜通孔(Via)刻蚀和介质沟槽(Trench)刻蚀。浅层沟道隔离刻蚀、栅极刻蚀和钨接触孔刻蚀三类工艺对均匀性要求高,因此静电吸盘需要具备多区动态控温功能,同时设备还需配置多区气体分配系统。此外,钨接触孔刻蚀工艺要求刻蚀设备需要具有...
本实施例的硅基浅刻蚀波导起偏器包括由下至上依次设置的硅衬底1、二氧化硅掩埋层2、硅芯层3和二氧化硅保护层4,其中硅芯层3上表面浅刻蚀有连续的突起结构31,突起结构31的宽度从突起结构31的两端到突起结构31的中央位置线性增加,突起结构31设置在硅芯层3的中央位置,且突起结构31的两侧与硅芯层3的两侧之间的距离为固...
1.本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种优化浅沟槽刻蚀形貌的方法。 背景技术: 2.在超快闪super flash工艺中,对浅沟槽刻蚀工艺有着很高的要求。在单元区(cell区域),由于氮化钛(tin)在sf工艺中是作为浮栅(floating gate)存在,通过沟道来储存电子并且通过顶部尖端放电。在tin沉积时如果随着之前沟槽形貌(trench prof...
本公司生产销售集成电路 隔离槽 集成电路 水冷机,提供集成电路专业参数,集成电路价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.集成电路 集成电路 品牌无锡冠亚恒温制冷技术有限公司|产地江苏|价格15.46万|型号FLT-002|电源380V3.5kW|温度范围5℃～40℃|流量控制10～25L/min