可以看出,碳化硅深刻蚀和浅刻蚀都是微电子加工技术中常用的两种处理方式。在具体应用方面,深刻蚀更多地用于制作浅凹坑和高耐受力结构;而浅刻蚀则用于改善样品表面的光滑度和精密度。 另外,由于深刻蚀需要更多的时间和成本,因此它通常用于高级应用;而浅刻蚀更适用于对硅晶片表面光滑度和精密度要求较...
如果内部间隔层刻蚀过深,栅长和器件性能会受到影响;如果刻蚀太浅,在SiGe去除工艺环节,太薄的内部间隔层可能不足以形成隔离屏障以保护源/漏极区域。除了典型的工艺参数和统计变化外,内间隔层蚀刻过程还取决于SiGe沟道的组分和厚度。然而传统的基于模型的计量技术很难准确地量化横向刻蚀量,因为与缩进过程挂钩的体积变化...