此外,钨接触孔刻蚀工艺要求刻蚀设备需要具有高深宽比刻蚀能力,通常选用电容性等离子体(CCP)刻蚀设备。 浅层沟道隔离刻蚀 在硅基底上刻出数道沟渠以隔离各个器件。该工艺需精确地控制关键尺寸和沟道深度,同时要求工艺设备具有非常均匀的刻蚀速率。 刻蚀设备选型:通常选择变压器耦合等离子体(TCP)刻蚀设备,同时要求静电吸盘...
STI的优点是利用刻蚀去除晶圆表面的杂质,然后用氧化物衬底填满缺陷造成的空洞,形成晶圆上的隔离区域。STI工艺对晶圆表面的杂质有很高的要求,因此需要采用刻蚀技术对晶圆表面进行清洁和准备。 然而,STI刻蚀涉及到很多工艺条件,例如气体流量、气体流速、RF功率等,不同的条件会对STI的形貌和质量产生不同的影响。因此,研究...
摘要 本发明公开了一种硅浅槽刻蚀工艺,包括二氧化硅层开启步、硅槽刻蚀步,在二氧化硅层开启步与硅槽刻蚀步之间还包括硅槽初刻步,硅槽初刻步中所用的工艺气体包括Cl2气体,还可以适当加入SF6、He、NF3气体。Cl2气体的供气流量为50-150sccm;供气压力为5-30mT;刻蚀时间为5-20s。可以有效减轻被刻蚀表面的微小柱形defect...
刻蚀工艺闫锐,李亮,默江辉,崔玉兴,付兴昌(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051)摘要:介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的...
崔玉兴,付兴昌(中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄 050051)摘要:介绍了用于 SiC 器件浅槽制作的 ICP-RIE 刻蚀原理,选用 Cl 2 /Ar 混合气体对 SiC 材料进行浅槽刻蚀,研究了 ICP 功率和 RIE 功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化...
浅沟槽隔离(STI)刻蚀工艺条件优化论文 已! 岸旨 J . 「刁 甚大规模集成 电路 集成设 计和 制造集成 电路 所需 的快 速技术变化 ,导致了 新设备和新工艺 的不 断 引入 。每隔 18 到 24 个月 ,半导体产业将 引入 新 的制 造技 术 。用户 需要 更快 ,更可靠和成本更低 的芯 片 。要达 到这 ...
节浅沟槽隔离(STI)的背景...……巧:6第三节浅沟槽隔离(ST工)概况...…….…….……···……4···……巧...……第二章干法刻蚀工艺介绍·…...……….….…0..……第一节干法刻蚀的目的和方法·.…...………第二节干法刻蚀的特点二第三节干法刻蚀的机理二...……...……...……二...
摘要 本发明公开了一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法,该方法通过先调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽,并进行顶部圆化弧度测量,建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系;然后根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势,得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧...
浅沟槽隔离技术是一种新的MOS集成电路隔离方法,它可以在全平坦的条件下消除局部氧化(LOCOS)技术的“鸟嘴”缺陷,绝缘层可以更厚,可以减少电极间的漏电流和承受更大的击穿电压。目前己经成为0.25um以下集成电路的生产过程中的标准器件隔离技术。 浅沟槽隔离工艺首先利用各向异性的干法刻蚀工艺在隔离区刻蚀出深度较浅的...
复旦大学硕士学位论文浅沟槽隔离(STI)刻蚀工艺条件研究姓名:吴连勇申请学位级别:硕士专业:集成电路工程指导教师:黄宜平;张擎雪0090