为了进一步探索用绝缘体上晶体硅制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,提出并研究了一种非矩形截面浅刻蚀绝缘体上晶体硅脊形波导.用光的干涉理论建立该波导的周期性损耗模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的频域有限元法仿真观察该特殊波导类TM0模的侧向泄漏损耗周期的变化与最大损耗点的偏移现...
4、目前通常采用增加下射频电源功率的方法增加离子束向下的轰击,从而解决硅侧壁角度不连续的现象。然而增加下射频电源功率会同时增加整个侧壁的角度,从而形成“v”形貌,降低槽的隔离性能,而且下射频功率的主要作用是控制离子的轰击能量,增加下射频功率会导致对掩膜的刻蚀增加,导致选择比降低,掩膜过度损耗。 技术实现思路...
4、本申请实施例中,在高阶侧向光栅处引入狭缝区域,使其分为靠近脊波导侧的内侧短光栅和远离脊波导侧的外侧长光栅,可以有效减少电注入时的横向泄露,增加载流子浓度,提高半导体激光器性能,并且狭缝区域可以起到横向模式限制作用,增加高阶模式的模式损耗,改善光束质量。在脊波导两侧设计内侧短光栅作为承接,可以提高激光器整...
本发明利用表面浅刻蚀结构,在垂直腔面发射激光器高阶模出射位置增加高阶模的损耗,提高高阶模的阈值增益,实现单模输出。 摘要附图 新闻资讯更多> 金宇农牧股东质押6300万股 用于为公司2000万贷款提供股票质押担保 挖贝网2022-12-09 马斯克请两个堂兄弟协助管理推特 网易科技2022-12-09 消息称苹果“realityOS”基于iOS,...
功率会导致对掩膜的刻蚀增加,导致选择比降低,掩膜过度损耗。 发明内容 [0006]本发明的目的是提出一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法,可以在保证浅沟槽隔离结 构刻蚀深度的前提下,得到角度连续的“U”形侧壁。 [0007]为实现上述目的,本发明提出了一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法,包括: [0008]提供衬底,所述衬底上具有依...
本实施例的硅基浅刻蚀波导起偏器的性能测试结果显示,当输入波长为1550nm的te模时,其插入损耗低至0.15db,消光比为18.5db。在1542nm至1568nm的波长范围内,消光比能够保持在15.24db以上。 此外,本实施例的硅基浅刻蚀波导起偏器的尺寸远小于现有技术中的传统起偏器,现有技术中的传统起偏器的长度为1mm。且本实施例的...