为了进一步探索用绝缘体上晶体硅制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,提出并研究了一种非矩形截面浅刻蚀绝缘体上晶体硅脊形波导.用光的干涉理论建立该波导的周期性损耗模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的频域有限元法仿真观察该特殊波导类TM0模的侧向泄漏损耗周期的变化与最大损耗点的偏移现...
4、目前通常采用增加下射频电源功率的方法增加离子束向下的轰击,从而解决硅侧壁角度不连续的现象。然而增加下射频电源功率会同时增加整个侧壁的角度,从而形成“v”形貌,降低槽的隔离性能,而且下射频功率的主要作用是控制离子的轰击能量,增加下射频功率会导致对掩膜的刻蚀增加,导致选择比降低,掩膜过度损耗。 技术实现思路...
本实施例中,通过硅衬底1、二氧化硅掩埋层2、硅芯层3和二氧化硅保护层4的组合,通过高折射率材料和低折射率材料的组合,使te模在高折射率的硅芯层中正常传输,而tm模则泄漏到周围的低折射率包层,从而得到纯度较高的te模。且逐渐拓宽的突起结构31,能够有效减小te模与波导粗糙侧壁的重叠,从而减小te模的损耗。此外,...
本发明利用表面浅刻蚀结构,在垂直腔面发射激光器高阶模出射位置增加高阶模的损耗,提高高阶模的阈值增益,实现单模输出。 摘要附图 新闻资讯更多> 金宇农牧股东质押6300万股 用于为公司2000万贷款提供股票质押担保 挖贝网2022-12-09 马斯克请两个堂兄弟协助管理推特 网易科技2022-12-09 消息称苹果“realityOS”基于iOS,...
功率会导致对掩膜的刻蚀增加,导致选择比降低,掩膜过度损耗。 发明内容 [0006]本发明的目的是提出一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法,可以在保证浅沟槽隔离结 构刻蚀深度的前提下,得到角度连续的“U”形侧壁。 [0007]为实现上述目的,本发明提出了一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法,包括: [0008]提供衬底,所述衬底上具有依...
本申请涉及半导体激光器领域,公开了一种具有狭缝结构的浅刻蚀光栅半导体激光器及其制备方法,该半导体激光器包括在外延层上刻蚀而成的脊波导和对称分布于脊波导的两侧高阶侧向光栅;高阶侧向光栅包括狭缝区域、内侧短光栅、外侧长光栅;狭缝区域可以有效减少电注入时的横向泄露,并且增加高阶模式的模式损耗,改善光束质量。内侧...