1.一种具有狭缝结构的浅刻蚀光栅半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器包括在外延层上刻蚀而成的脊波导和高阶侧向光栅;所述高阶侧向光栅包括两部分,且对称分布于所述脊波导的两侧; 2.根据权利要求1所述的具有狭缝结构的浅刻蚀光栅半导体激光器,其特征在于,所述内侧短光栅与所述脊波导连接。 3.根据权利要求1...
本发明提供一种提高FIB刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统,涉及离子束加工技术领域,包括:步骤S1:在目标材料上制备掩膜层;步骤S2:根据需要刻蚀的光栅结构设计优化FIB刻蚀参数;步骤S3:利用FIB刻蚀参数从掩膜层表面开始刻蚀,刻蚀深度至目标材料表面以下;步骤S4:去除掩膜层,在目标材料表面形成高侧壁垂直度的超浅光栅...