抗闩锁保护芯片是一种电子锁控芯片,它可与门锁的驱动电路相连接,通过加密算法和电子锁控制技术实现对门锁的安全控制。该芯片内置保密芯片和不可逆加密算法,使得破解门锁的难度大大增加,从而提高门锁的安全性。 二、抗闩锁保护芯片的应用场景 抗闩锁保护芯片...
基于场隔离技术的抗闩锁电路设计通过改变器件物理结构,阻断寄生电流路径,在90纳米以下工艺节点具有重要应用价值。该方案的核心在于采用氧化硅填充的浅沟槽隔离结构,替代传统PN结隔离方式,实现相邻器件间的有效隔离。 在具体实施层面,需在硅衬底上完成有源区定义后,通过干法刻蚀形成深度为0.3-0.5微米的沟槽结构。沟槽侧壁...
1.帮助防止车轮锁死:防止车轮锁死是抗闩锁电阻的最基本功能,其通过测量车轮的转速和减速度来判断车轮是否即将锁死,从而控制制动系统的工作来防止车轮被锁死; 2.提高刹车的灵敏度:抗闩锁电阻可以帮助提高刹车的灵敏度和响应速度,从而使车辆的刹车更加平稳和准确; 3.保持稳定性和操控性:抗闩锁电阻可以保持...
抗闩锁电阻作为汽车制动系统中的核心组件,其作用不可小觑。它主要通过实时监测车轮的转速与减速度,精准预判车轮是否面临锁死风险。一旦检测到异常情况,系统会立即调整制动力量,有效避免车轮锁死,确保车辆制动过程中的平稳与安全。此外,抗闩锁电阻还能显著提升刹车的响应速度与灵敏度,使驾驶者在紧急情况下能更迅速地控制车...
金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，无锡一零微电子有限公司申请一项名为“一种减少局部通孔提高抗闩锁能力的方法”的专利，公开号CN119894106A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明提供一种减少局部通孔提高抗闩锁能力的方法，核心思想是减少PMOS和NMOS中间区域的有源区通孔，限制寄生晶体管的...
所述第二部分从所述第一部分底面向所述衬底的第二表面方向延伸，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；栅极结构，形成于所述第一沟槽中；接触插塞，形成于所述第二沟槽中。本实用新型的技术方案使得能够提高功率半导体器件的抗闩锁能力。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
因此,需对CMOS芯片的外围电路进行完善设计,尽量避免CMOS芯片在使用过程中发生“闩锁效应”。 2CMOS芯片抗闩锁技术方案 导致CMOS芯片发生“闩锁效应”的基本条件有以下三个:1)在一定的外界因素触发下,CMOS芯片内部的寄生双极型PNP晶体管及NPN晶体管的基极、发射极处于正向偏置;2)寄生PNP晶体管及NPN晶体管构成的PNPN可控...
1、摘要:10 前言11闩锁效应产生背景22 CMOS反相器33 闩锁效应基本原理44闩锁措施研究64.3 电路应用级抗闩锁措施95 结论9参考文献:10CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施摘 要:CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极...
为了对抗闩锁效应,以下是一些常见的对抗措施: 1.增加电源和输入信号的抗干扰能力:通过提高电源和输入信号的电压和电流噪声容忍度,减小电源和输入信号突变的可能性。例如,可以使用滤波器来去除电源和输入信号的高频噪声。 2.增加抵抗和电感:通过在电路中加入适当的电阻和电感元件,可以减小电流过大的可能性,并提高电路的...
深圳市美浦森半导体申请IGBT芯片结构相关专利，实现IGBT芯片具有天然的抗闩锁特性 金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司申请一项名为“IGBT芯片结构的制备方法和IGBT芯片结构”的专利，公开号CN 119092408 A，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术，公开了...