为了对抗闩锁效应，以下是一些常见的对抗措施：1.增加电源和输入信号的抗干扰能力：通过提高电源和输入信号的电压和电流噪声容忍度，减小电源和输入信号突变的可能性。例如，可以使用滤波器来去除电源和输入信号的高频噪声。2.增加抵抗和电感：通过在电路中加入适当的电阻和电感元件，可以减小电流过大的可能性，并提高电路的稳定性
1、摘要:10 前言11闩锁效应产生背景22 CMOS反相器33 闩锁效应基本原理44闩锁措施研究64.3 电路应用级抗闩锁措施95 结论9参考文献:10CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施摘 要:CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极...
金融界2024年12月14日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“CMOS抗闩锁效应结构”的专利，授权公告号 CN 115036311 B，申请日期为2022年6月。本文源自：金融界 作者：情报员
一种抗单粒子闩锁效应的标准单元设计方法,步骤如下:(1)在标准单元版图中进行阱接触保护带设计,即在标准单元版图中与阱接触相连并伸出到晶体管有源区两侧的区域设为保护带,并且在阱接触保护带上多打接触孔;(2)减小阱接触保护带的间距,阱接触保护带的间距(dWC)最
此外,由于元件结构的特性,所谓的闩锁(Latch-up,LU)效应会造成集成电路在操作时有大电流的现象而引起功能上的问题,甚至会使得芯片永久损伤,这同样也需要在芯片设计上来避免LU 的问题。 为了验证ESD 与LU 的防护能力,第一道课题就是如何运用专门的测试机台,遵循国际规范定义的条件与步骤,确认集成电路在ESD 与LU 的...
通过对传统微处理器复位电路的理论分析和工作波形仿真,发现在电源掉电时,微处理器在其复位引脚受到外部复位电容的放电冲击时,容易进入闩锁状态。由此提出上电复位电路也是容易导致CMOS电路进入闩锁的外部触发条件之一,并在此基础上设计了一种新型抗闩锁复位电路,能够自动检测...
闩锁效应的形成机理主要涉及PNPN结构的象限配置,以及局部正反馈的产生。CMOS集成电路中的PNPN结构由n型管和p型管组成,分别对应一个npn三极管和一个pnp三极管。当其中一种条件下,比如供电电压的波动或外部干扰信号,使得pn结上的电流增大,就会激发起正反馈作用,导致三极管一直打开或闭合,形成闩锁效应。 为了对抗闩锁效应,...
湖南融创微电子申请抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器专利，使SRAM编译器生成的存储器具有抗单粒子闩锁效应的性能 金融界2025年3月21日消息，国家知识产权局信息显示，湖南融创微电子股份有限公司申请一项名为“抗单粒子闩锁效应的SRAM编译器设计方法和装置”的专利，公开号CN 119647371 A，申请日期为2025年2月。专利摘要...
闩锁效应是指当CMOS集成电路的输入电平处于一些特定范围时,输出电平会被锁定在一些特定状态,不受输入电平的变化影响。 闩锁效应的形成机理主要涉及CMOS技术中的晶体管、电荷积聚效应和电荷泄漏。 在CMOS集成电路中,晶体管是主要的工作元件,分为N型和P型晶体管。当输入电压达到一定水平时,N型晶体管的栅电压会高于阈值...
[参考译文] SN74LVC1G123:抗闩锁效应电流 Other Parts Discussed in Thread:SN74LVC1G123 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/758599/sn74lvc1g123-latch...