金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，无锡一零微电子有限公司申请一项名为“一种减少局部通孔提高抗闩锁能力的方法”的专利，公开号CN119894106A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明提供一种减少局部通孔提高抗闩锁能力的方法，核心思想是减少PMOS和NMOS中间区域的有源区通孔，限制寄生晶体管的最
金融界2024年11月19日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司取得一项名为“功率半导体器件”的专利，授权公告号CN 222015415 U，申请日期为2024年3月。专利摘要显示，本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面；多个第一沟槽和多个第二沟槽，形成于所述衬...
金融界2025年5月7日消息,国家知识产权局信息显示,苏州一零微电子有限公司申请一项名为“一种提高抗闩锁能力的版图结构”的专利,公开号CN119922986A,申请日期为2025年2月。 专利摘要显示,本发明提供一种提高抗闩锁能力的版图结构,包括NWELL区、PWELL区、第一P+接触区、第二P+接触区、第一N+接触区、第二N+接触...
本实用新型的技术方案使得能够提高功率半导体器件的抗闩锁能力。
本实用新型的技术方案使得能够提高功率半导体器件的抗闩锁能力。
上海睿驱微电子取得一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件专利 金融界2025年4月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海睿驱微电子科技有限公司取得一项名为“一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件”的专利，授权公告号CN 113314588 B，申请日期为2021年5月。天眼查资料显示，上海睿驱微电子科技有限公司，成立于2019年，位于上海...
本实用新型提供了一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路,包括:ESD器件、设置在ESD器件的发射极和基极之间的抑制电阻、第一寄生三极管、第二寄生三极管、第三寄生三极管以及外部电源;第一寄生三极管以及第二寄生三极管的基极与ESD器件的集电极连接,第一寄生三极管以及第二寄生三极管的发射极与ESD器件的基极连接,第一寄生三极...
单粒子闩锁试验是一种评估芯片抗单粒子闩锁能力的试验,需要使用LET(线性能量转移)在75MeV∙cm²/mg以上的重离子进行辐照,注量率约为10³ions∙cm⁻²∙s⁻¹,每个测试项目的测试时间约为2小时,注量达到10⁷ions/cm²。...
本实用新型涉及一种IGBT器件,尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT,属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体,所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层;第一导电类型第二载流子...
(1)本发明方法中的结构可以有效的提高器件抗闩锁能力。本发明中采用隔离槽中的导电多晶硅15接地的形式,可以避免器件隔离槽中的导电多晶硅15的电位受到外界干扰,保持一个恒定的低电位,从而有效的增大了器件内导电多晶硅电极15与N型漂移区3的电压差,如图6所示,图6对比图5,导电多晶硅电极15与N型漂移区3电势差增大了接近...