此外,由于元件结构的特性,所谓的闩锁(Latch-up,LU)效应会造成集成电路在操作时有大电流的现象而引起功能上的问题,甚至会使得芯片永久损伤,这同样也需要在芯片设计上来避免LU 的问题。 为了验证ESD 与LU 的防护能力,第一道课题就是如何运用专门的测试机台,遵循国际规范定义的条件与步骤,确认集成电路在ESD 与LU 的可靠性。若该电路元件
抗静电和闩锁测试系统是确保设备性能稳定的关键。店内提供的测试系统,支持加工定制,可满足不同设备的测试需求。该系统读数准确度高达0.2,电压为380V,非进口产品,性能稳定可靠。特别适用于需要进行抗静电和闩锁测试的应用场景。现在店内正好有这款测试系统,可以完美满足这些测试需求。如果您对抗静电和闩锁测试系统感兴趣,...
第一种是在电流等于1uA 时的电压,若前后差异小于30% 的话,便能通过ESD 测试,如图二所示;第二种是包络线(Curve Compare Envelope) ,以ESD 测试之前的IV 曲线为参考,并以测试的最大电压与电流的正负10% 为调整值,将此正负值加诸在
第一种是在电流等于1uA 时的电压,若前后差异小于30% 的话,便能通过ESD 测试,如图二所示;第二种是包络线(Curve Compare Envelope) ,以ESD 测试之前的IV 曲线为参考,并以测试的最大电压与电流的正负10% 为调整值,将此正负值加诸在
此外,由于元件结构的特性,所谓的闩锁(Latch-up,LU)效应会造成集成电路在操作时有大电流的现象而引起功能上的问题,甚至会使得芯片永久损伤,这同样也需要在芯片设计上来避免LU 的问题。 为了验证ESD 与LU 的防护能力,第一道课题就是如何运用专门的测试机台,遵循国际规范定义的条件与步骤,确认集成电路在ESD 与LU 的...