基于场隔离技术的抗闩锁电路设计通过改变器件物理结构,阻断寄生电流路径,在90纳米以下工艺节点具有重要应用价值。该方案的核心在于采用氧化硅填充的浅沟槽隔离结构,替代传统PN结隔离方式,实现相邻器件间的有效隔离。 在具体实施层面,需在硅衬底上完成有源区定义后,通过干法刻蚀形成深度为0.3-0.5微米的沟槽结构。沟槽侧壁需进行倾斜
CMOS芯片抗闩锁电路[2]具体如图1所示。关于该电路,详述如下:1)为抑制电源跳动,在VDD与AGND之间、VSS与AGND之间增加退耦电容,如图1中C1、C2所示。2)CMOS芯片对供电环境的要求是:保证CMOS芯片的供电顺序,VDD先通电,VSS其次,最后是I/O接口。由于供电环境通常无法达到上述要求,本电路在正、负供电端分别增加了一个管压...
1、摘要:10 前言11闩锁效应产生背景22 CMOS反相器33 闩锁效应基本原理44闩锁措施研究64.3 电路应用级抗闩锁措施95 结论9参考文献:10CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施摘 要:CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极...
主要探究解决控制系统在频繁通断电情况下容易死机的问题。通过对传统微处理器复位电路的理论分析和工作波形仿真,发现在电源掉电时,微处理器在其复位引脚受到外部复位电容的放电冲击时,容易进入闩锁状态。由此提出上电复位电路也是容易导致CMOS电路进入闩锁的外部触发条件之一,...
集成电路抗闩锁性能的影响 )( 韩兆芳,虞勇坚 (中国电子科技集团公司第 58 研究所,江苏 无锡 214035 ) )( 摘 要: 闩锁效应是体硅 CMOS 电路中最为严重的失效机理之一,而且随着器件特征尺寸越来越 小,使得 CMOS 电路结构中的闩锁效应日益突出。以 P 阱 CMOS 反相器和 CMOS 集成电路的工艺结构 为基础,采用可...
CMOS集成电路中的PNPN结构由n型管和p型管组成,分别对应一个npn三极管和一个pnp三极管。当其中一种条件下,比如供电电压的波动或外部干扰信号,使得pn结上的电流增大,就会激发起正反馈作用,导致三极管一直打开或闭合,形成闩锁效应。 为了对抗闩锁效应,有以下几种常见的对策: 1. 提高结深度和扩散方案:通过增加pn结的深度...
闩锁效应是指当CMOS集成电路的输入电平处于一些特定范围时,输出电平会被锁定在一些特定状态,不受输入电平的变化影响。 闩锁效应的形成机理主要涉及CMOS技术中的晶体管、电荷积聚效应和电荷泄漏。 在CMOS集成电路中,晶体管是主要的工作元件,分为N型和P型晶体管。当输入电压达到一定水平时,N型晶体管的栅电压会高于阈值...
金融界2025年5月7日消息,国家知识产权局信息显示,苏州一零微电子有限公司申请一项名为“一种提高抗闩锁能力的版图结构”的专利,公开号CN119922986A,申请日期为2025年2月。 专利摘要显示,本发明提供一种提高抗闩锁能力的版图结构,包括NWELL区、PWELL区、第一P+接触区、第二P+接触区、第一N+接触区、第二N+接触...
本实用新型提供了一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路,包括:ESD器件、设置在ESD器件的发射极和基极之间的抑制电阻、第一寄生三极管、第二寄生三极管、第三寄生三极管以及外部电源;第一寄生三极管以及第二寄生三极管的基极与ESD器件的集电极连接,第一寄生三极管以及第二寄生三极管的发射极与ESD器件的基极连接,第一寄生三极...
飞腾申请衬底接触设计专利，可提高电路抗闩锁性能并提高衬底接触单元的面积利用率 金融界2025年1月24日消息，国家知识产权局信息显示，飞腾信息技术有限公司申请一项名为“衬底接触设计方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号 CN 119337807 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本申请提供一种衬底接触设计...