如上表,45nm 及以下节点,采用HKMG(High-k Metal Gate)工艺,使用高k材料做栅介质层;45nm以上的节点,主要使用氧化硅做栅介质层。什么是栅介质层?如上图,图中位于上方的灰色区域表示栅极(gate),通过施加电压在栅极,控制源极和漏极之间的电流沟道形成与否。栅极下面的...
河北镁熙生物有限公司表示，氧化镁因为有着许多优异的性质,例如电绝缘性、化学惰性、机械稳定性、高温稳定性、热传导性和高效二次电子发射等,而广泛应用在如光学薄膜、以及高临界温度的超导缓冲层、大面积平板、等离子显示器件、高K绝缘层介质材料等诸多领域。氧化镁因化学惰性,禁带宽度为7.8eV,本征材料介电常数为9....
高k介质材料简介高k介质材料沉积 高k介质材料简介高k介质材料的定义和特性1.高k介质材料是具有高介电常数的绝缘材料,用于在电子设备中储存电能和减少漏电。2.高k介质材料的特性包括高介电常数、低漏电电流、高击穿电压和良好的热稳定性。高k介质材料的分类1.高k介质材料主要分为氧化物、氮化物和氟化物等几大类。
thihK 是高K 材料栅介质厚度,是等效SiO 厚度,Kh 是高K 材料相对介电常数,l(0 是SiOz 相对介电常数.从该表 达式町看出,使用较厚的K 值大于3.9 的高介电材料可以起到 较薄Sj 栅同等的作用,由于物理厚度大而消除了由隧穿引起 的较大漏电流.采用高介电常数的材料避免了增人面积和减小 厚度所带来的一...
最有希望取代SiO2 栅介质的高k 材料主要有两大类: 氮化物和金属氧化物. 3.1 氮化物 氮化物主要包括Si3N4, SiON 等.Si3N4 介电常数比SiO2 高, 作栅介质时漏电流比SiO2 小几个数量级, Si3N4 和Si 的界面状态良好, 不存在过渡层.但Si3N4 具有难以克服的硬度和脆性, 在硅基片上的界面态密度为1.2×1012eV...
介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性.此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容.本文阐述了选择高k栅介质材料的基本原则,介绍了典型高k栅介质材料性能,并展现了引入高k栅介质材料存在的...
本文对解决传统绝缘电介质材料和二维材料界面存在缺陷的问题做出了积极探索。而超薄氟化钙薄膜的优秀绝缘性和与二维材料的兼容性值得其在二维电子器件中得到关注和深入研究。 原文标题:Advanced Materials: 氟化钙—用于二维电子器件的超薄高k电介质材料
HfO2是高K栅介质材料的研究热点之一,目前各种针对HfO2介质的研究和实验表明,HfO2具有漏电流低,热稳定性好,制备工艺相对简单等优点。为了使HfO2介质层的电学特性满足器件性能的需要,HfO2栅介质层的优化还要在降低界面态密度,避免HfO2与体硅中间过渡层的形成等方面进行探索和研究。极薄HfO2,介质层需要解决的首要问题是如何...
高k材料成为代替Sio2作为栅介质薄层材料的不错选择，但是大多数高k材料是离子金属氧化物，其基本物理和材料特性导致产生很多不可靠因素。从高k材料的基本物理和材料特性角度，回顾了高K材料代替SiO2用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层时产生的主要不可靠因素及根本原因。寻找能够代替sio2成为栅介质薄层的材料是进一步缩小器件...